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2017年5月12日，国家标准委发布《中华人民共和国国家标准公告2017年第11号》，由半导体照明联合创新国家重点室牵头制定的国家标准GB／T 33720－2017《照明产品光通量衰减加...

分类：政策标准时间：2017/5/19 阅读：1007 关键词：GB/T LED LED照明产品

2016年4月25日，国家标准委发布《中国国家标准公告2016年第7号》，由半导体照明联合创新国家重点实验室牵头制定的国家标准GB/T32655-2016《植物生长用LED光照术语和定义》发布，将于2016年11月1日实施。GB/T32655-20

分类：政策标准时间：2016/5/5 阅读：1269 关键词：lead

在功率半导体领域，绝缘栅双极型晶体管（IGBT）占据着核心地位，并且经历了多次技术迭代。从最初的 PT - IGBT 发展到 NPT - IGBT，再到如今的 FS - IGBT，每一次的变革都带来了性能的显著提升。FS - IGBT 综合了前两者的优势，在不降低正...

基础电子时间：2026/8/6 阅读：285

在当今功率半导体领域，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）无疑是核心器件之一。它已经历了从 PT - IGBT 到 NPT - IGBT、再到 FS - IGBT 的多次关键技术迭代。FS - IGBT 巧妙地综合了前两者的优点，在不降低正向耐压的前提下，能够大幅减薄器件...

基础电子时间：2026/8/5 阅读：167

双脉冲测试作为功率半导体动态特性表征的 “黄金标准”，在半导体器件的测试领域有着举足轻重的地位。它能够精准测量开关损耗、dv/dt、di/dt、电压过冲以及反向恢复参数等关键指标，而这些测试结果对于器件选型、驱动优化以及整机设计而...

全部时间：2026/7/27 阅读：244

双脉冲测试在功率半导体动态特性表征领域堪称 “黄金标准”，它能够精准测量开关损耗、dv/dt、di/dt、电压过冲及反向恢复参数等重要指标。这些测试结果对于器件选型、驱动...

设计应用时间：2026/7/24 阅读：347

在电子电路设计领域，MOS 管和 IGBT 管是极为常见的元件，它们都能作为开关元件发挥作用，而且在外形及特性参数方面也有一定的相似性。然而，为何有些电路选用 MOS 管，而另一些电路则采用 IGBT 管呢？下面我们就来深入了解一下，MOS 管...

基础电子时间：2026/7/9 阅读：215

绝缘栅双极晶体管（IGBT）在电力电子领域扮演着至关重要的角色，它是一种融合了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和双极结型晶体管（BJT）优点的半导体器件，具有高输入阻抗和低导通电压降的显著特点。尽管近年来 SiC 和 GaN 等宽...

基础电子时间：2026/6/11 阅读：848

在电力电子系统中，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）单管发挥着至关重要的作用，然而其过热烧毁问题却时常困扰着工程师们。在着手排查此类故障之前，清晰明确其核心诱因，能够使排查工作更具针对性和高效性。结合实际的工况情况，IGBT 单管过...

基础电子时间：2026/6/8 阅读：456

在电力电子领域，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种非常重要的功率半导体器件。IGBT 爆炸是其失效的一种较为剧烈且直观的表现形式。实际上，很多时候器件失效从外表看并无任何异常，即便去掉封装，裸眼观察芯片表面也难以发现异样，而爆...

基础电子时间：2026/5/11 阅读：322

IGBT（绝缘栅双极型晶体管）与MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）作为电力电子领域两大核心功率器件，广泛应用于电源、电机驱动、工业控制、新能源、车载电子等各类场景。二者均具备高频开关特性，但因结构、工作原理的本质差异，...

基础电子时间：2026/3/6 阅读：451

在工业变频调速、逆变电源、焊接设备等场景中，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是功率变换的核心器件——但工业环境的高频电磁干扰、大电流开关应力，常导致IGBT驱动异常（比如误开通/关断）、模块过热损坏，甚至引发设备炸机。本文结合维库...

设计应用时间：2025/12/15 阅读：1709