GB/T 33720-2017《LED照明产品光通量衰减加速试验方法》发布
2017年5月12日，国家标准委发布《中华人民共和国国家标准公告2017年第11号》，由半导体照明联合创新国家重点室牵头制定的国家标准GB／T 33720－2017《照明产品光通量衰减加...
GB/T 32655-2016《植物生长用LED光照术语和定义》发布
2016年4月25日，国家标准委发布《中国国家标准公告2016年第7号》，由半导体照明联合创新国家重点实验室牵头制定的国家标准GB/T32655-2016《植物生长用LED光照术语和定义》发布，将于2016年11月1日实施。GB/T32655-20
分类：政策标准 时间：2016/5/5 阅读：1006 关键词：lead
IGBT，全称为 Insulated Gate Bipolar Transistor（绝缘栅双极型晶体管），它是一种由 MOSFET 和双极型晶体管复合而成的功率半导体器件。其输入极采用 MOSFET 结构，输出极...
设计应用 时间：2025/6/11 阅读：137
绝缘栅双极晶体管（IGBT）作为一种具备高输入阻抗和高开关速度的功率半导体器件，在电力电子领域中得到了广泛应用，诸如变频器、逆变器以及电动机驱动等场景。IGBT 的驱动方式对其开关特性、效率以及可靠性等方面有着直接的影响。接下来...
基础电子 时间：2025/6/4 阅读：133
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）都是现代电力电子中的核心开关器件，但它们在结构、特性和应用场景上有显著差异。以下是两者的详细对比： 1. 基本结构与工作原理特性IGBTMOSFET结构MOSFET + 双极...
基础电子 时间：2025/5/19 阅读：285
R 课堂：全面剖析 IGBT IPM 热关断保护功能（TSD）
在电力电子设备的运行过程中，温度控制是保障设备稳定性和可靠性的关键因素之一。IGBT IPM（Intelligent Power Module，智能功率模块）作为一种重要的电力电子器件，其热关...
设计应用 时间：2025/5/13 阅读：302
IGBT 正弦波调光器作为一种先进的调光设备，凭借其独特的工作原理和显著优势，在众多领域得到了广泛应用。 IGBT 正弦波调光器工作原理 IGBT 正弦波调光器主要基于 IG...
设计应用 时间：2025/5/9 阅读：459
不间断电源（UPS）的光伏（PV）逆变器是离散IGBT的最受欢迎的应用之一。该应用程序具有更高的功率因数（PF）操作条件（PF1.0），较小的快速恢复二极管（FRD）可以提供更好...
设计应用 时间：2025/3/14 阅读：287
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种常用于电力电子领域的功率半导体器件，在变频器、电机驱动、电力变换等应用中有广泛的应用。由于IGBT在工作时会承受较高的电流和电压，短路保护对其工作安全至关重要。IGBT的短路保护主要分为两类： ...
基础电子 时间：2025/2/20 阅读：305
IGBT，代表绝缘栅双极晶体管。它是具有绝缘栅极端子的双极晶体管。它将控制输入与 MOS 结构和双极功率晶体管结合在单个器件中，充当输出开关！ IGBT原理 IGBT 是一种具有三个端子的半导体器件，结合了双极结型晶体管 (BJT) 和金属...
基础电子 时间：2024/12/13 阅读：428
采用快速 IGBT 开关的脉冲测量方法应用范围非常广泛。它适用于几乎所有类型的电感功率元件，从小型 SMD 电感器到重达几吨的 MVA 范围的功率扼流圈。 电流范围非常广，目前范围从 < 0.1 A 到 10000 A 目前可用的脉冲能量从 J ...
基础电子 时间：2024/9/5 阅读：285
IGBT的外形、等效结构和符号如图7-17所示，从等效结构图中可以看出，IGBI相当于一个 PNP 型三极管和增强型 NMOS 管以图 7-17(b)所示的方式组合而成。IGBT有三个极:C极(集电极)、G极(栅极)和E极(发射极)。 图 7-17中的IGBT是由PNP型三...
基础电子 时间：2024/8/28 阅读：758
