CGD新型ICeGaN GaN功率IC使数据中心、逆变器和工业开关电源的实现超高效率
无晶圆厂环保科技半导体公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 开发了一系列高能效氮化镓(GaN)功率器件,致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日推出采用新颖的芯片和封装设计...
分类:新品快报 时间:2024/6/12 阅读:315 关键词:半导体
CGD为数据中心、逆变器等更多应用推出新款低热阻GaN功率IC封装
无晶圆厂环保科技半导体公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 开发了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日推出两款新型 ICeGaN 产品系列 GaN 功...
分类:新品快报 时间:2024/6/5 阅读:327 关键词:逆变器
据 RTX报道,公司旗下企业 Raytheon 已获得 DARPA 授予的一份为期四年、价值 1500 万美元的合同,以提高功率密度氮化镓晶体管的射频传感器的电子能力。报道指出改进后的晶...
分类:业界动态 时间:2023/11/22 阅读:601 关键词:GaN功率
ST的100W和65W VIPerGaN功率转换芯片节省空间提高消费电子和工业应用的能效
意法半导体高压宽禁带功率转换芯片系列新增VIPerGaN100 和 VIPerGaN65两款产品,适合最大功率100W和65W的单开关管准谐振 (QR)反激式功率转换器。这个尺寸紧凑、高集成度的...
分类:新品快报 时间:2023/5/19 阅读:322 关键词:功率转换芯片
GaNSystems对2023年做出了预测,涵盖功率半导体的供应链,以增加数据中心和电动汽车的可持续性法规。 “我们正处于功率GaN技术的转折点,”该公司表示。 随着电气化大趋...
分类:行业趋势 时间:2022/11/26 阅读:4117
Mouser - 贸泽开售Qorvo QPA1724 Ku/K波段GaN功率放大器 为卫星通信提供优化解决方案
提供超丰富半导体和电子元器件的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货Qorvo QPA1724 Ku/K波段氮化镓 (GaN) 功率放大器 (PA)。该产品功率可达同类PA的两倍,并且能够提供出色的宽带线性功率、增益和功...
时间:2022/9/28 阅读:117 关键词:电子
Mouser- 贸泽备货Qorvo QPA1314T 55 W GaN功率放大器满足射频卫星通信需求
专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货Qorvo的QPA1314T 功率放大器 (PA)。QPA1314T采用Qorvo的0.15um 碳化硅基氮化镓 (GaN-on-SiC) 工艺 (QGaN15) 制造,并安装在高导热垫片上,是一...
时间:2022/9/28 阅读:132 关键词:电子
贸泽备货Qorvo QPA1314T 55 W GaN功率放大器 满足射频卫星通信需求
专注于引入新品并提供海量库存?的电子元器件分销商贸泽电子(MouserElectronics)即日起备货Qorvo?的QPA1314T功率放大器(PA)。QPA1314T采用Qorvo的0.15um碳化硅基氮化镓(GaN-...
分类:新品快报 时间:2022/9/26 阅读:748
贸泽开售Qorvo QPA1724 Ku/K波段GaN功率放大器为卫星通信提供优化解决方案
提供超丰富半导体和电子元器件?的业界知名新品引入(NPI)分销商贸泽电子(MouserElectronics)即日起备货Qorvo?QPA1724Ku/K波段氮化镓(GaN)功率放大器(PA)。该产品功率可达同...
分类:新品快报 时间:2022/9/15 阅读:928
英飞凌和松下携手加速650V GaN功率器件的GaN技术开发
英飞凌科技股份公司和松下公司签署协议,共同开发和生产第二代(Gen2)成熟的氮化镓(GaN)技术,提供更高的效率和功率密度水平。杰出的性能和可靠性与8英寸硅基氮化镓晶圆...
分类:名企新闻 时间:2021/9/9 阅读:1713
意法半导体发布50W GaN功率变换器,面向高能效消费及工业级电源设计
意法半导体 VIPerGaN50能够简化最高50 W的单开关反激式功率变换器设计,并集成一个 650V 氮化镓 (GaN) 功率晶体管,使电源的能效和小型化达到更高水平。 VIPerGaN50 采用单开关拓扑,集成很多功能,包括内置电流采样和保护电路,采用...
新品速递 时间:2022/4/8 阅读:524
氮化镓(GaN)是最接近理想的半导体开关的器件,能够以非常高的能效和高功率密度实现电源转换。但GaN器件在某些方面不如旧的硅技术强固,因此需谨慎应用,集成正确的门极驱动...
设计应用 时间:2019/11/8 阅读:430
新型和未来的 SiC/GaN 功率开关将会给方方面面带来巨大进步,从新一代再生电力的大幅增加到电动汽车市场的迅速增长。其巨大的优势——更高功率密度、更高工作频率、更高电...
设计应用 时间:2018/6/22 阅读:537
1月出席DesignCon 2015时,我有机会听到一个由Efficient Power Conversion 公司CEO Alex Lidow主讲的有趣专题演讲,谈到以氮化镓(GaN)技术进行高功率开关组件(Switchin...
技术方案 时间:2015/7/14 阅读:3690
东芝宣布已经开发出一个新的GaN(Gallium nitride)功率型场效应管(FET),用于Ku波段(12GHz到18GHz)频率范围,当输出功率为65.4W时可达14.54GHz。这一新三极管的主要应...
新品速递 时间:2007/10/30 阅读:2129