意法半导体发布50W GaN功率变换器，面向高能效消费及工业级电源设计
意法半导体 VIPerGaN50能够简化最高50 W的单开关反激式功率变换器设计，并集成一个 650V 氮化镓 (GaN) 功率晶体管，使电源的能效和小型化达到更高水平。 VIPerGaN50 采用单开关拓扑，集成很多功能，包括内置电流采样和保护电路，采用...
新品速递 时间：2022/4/8 阅读：531
氮化镓(GaN)是最接近理想的半导体开关的器件，能够以非常高的能效和高功率密度实现电源转换。但GaN器件在某些方面不如旧的硅技术强固，因此需谨慎应用，集成正确的门极驱动...
设计应用 时间：2019/11/8 阅读：439
新型和未来的 SiC/GaN 功率开关将会给方方面面带来巨大进步，从新一代再生电力的大幅增加到电动汽车市场的迅速增长。其巨大的优势——更高功率密度、更高工作频率、更高电...
设计应用 时间：2018/6/22 阅读：543
1月出席DesignCon 2015时，我有机会听到一个由Efficient Power Conversion 公司CEO Alex Lidow主讲的有趣专题演讲，谈到以氮化镓（GaN）技术进行高功率开关组件（Switchin...
技术方案 时间：2015/7/14 阅读：3699
东芝宣布已经开发出一个新的GaN（Gallium nitride）功率型场效应管（FET），用于Ku波段（12GHz到18GHz）频率范围，当输出功率为65.4W时可达14.54GHz。这一新三极管的主要应...
新品速递 时间：2007/10/30 阅读：2133
