高功率密度

高功率密度资讯

Infineon - 英飞凌推出全新CoolSiCMOSFET 2000 V, 在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiCMOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求,而且即使面对严格的高电压和开关频率要求,也不会降低系统可靠性...

时间:2024/3/21 阅读:28 关键词:电子

Vishay的新款80 V对称双通道 MOSFET的RDS(ON) 达到业内先进水平,可显著提高功率密度、能效和热性能

日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新型80 V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF4800LDT,将高边和低边TrenchFET Gen IV MOSFET组...

分类:新品快报 时间:2024/3/15 阅读:386 关键词:MOSFET

英飞凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000 V,在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求...

分类:新品快报 时间:2024/3/14 阅读:373 关键词:电子

TDK Lambda- 高效率!高功率密度!低噪音!业界先进的1kW / 800W AC-DC 医疗电源!

TDK 公司 (TSE 6762) 宣布推出高可靠性,宽范围输入功率因数校正专用AC-DC模块电源“PF1500B-360”。该产品自2022年11月1日起接受订购。  宽范围输入功率因数校正专用AC-DC变换器PF1500B-360在230VAC输入下,额定输出功率为1512W,有标...

时间:2024/2/29 阅读:111 关键词:电子

以高度灵活性满足高功率密度和性能需求:英飞凌扩展1200 V 62 mm IGBT7 产品组合,推出全新电流额定值模块

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出搭载1200 V TRENCHSTOP IGBT7芯片的62 mm半桥和共发射极模块产品组合。模块的最大电流规格高达 800 A ,扩展了...

分类:新品快报 时间:2023/8/7 阅读:301 关键词:英飞凌

EPC新推ePower IC,可在不同功率预算提高功率密度和简化设计

宜普电源转换公司(EPC) 扩展了其封装兼容的ePowerIC系列,提高功率密度和简化设计以满足DC/DC应用、电机驱动器和D类音频放大器的不同功率要求。 继早前推出的100 V、35 ...

分类:新品快报 时间:2023/3/24 阅读:512 关键词:EPC

COSEL - 科索将用于医疗和工业的高功率密度700W电源添加到坚固可靠的3×5英寸GHA系列中

功率为700W、3×5英寸工业标准大小、1U高 医用隔离等级2MOPP,输入/输出隔离电压为4KVAC 符合EN61558-2-16 (OVC III) ,简化设计符合EN60335 高功率密度,每立方英寸31.1W 有源PFC,效...

时间:2023/3/17 阅读:256 关键词:电子

ARTESYN - Advanced Energy 推出一款适用于电信和数据通信设备的超小型、高功率密度直流/直流电源转换器

这款全新的 AVD200-48S12 电源转换器不但功率密度极高,而且封装极为小巧,只占用极少电 路板的板面空间,让印制电路板(PCB)可以腾出更多空间容纳负责执行重要功能的元器件 二零二一年四月二十八日 -- Advanced Energy (Na...

时间:2022/9/19 阅读:132 关键词:电子

工信部等五部门:发展高功率密度永磁电机、同步磁阻电机、智能电机、超高效异步电机等产品

据工信部网站发布,工业和信息化部、财政部、商务部、国务院国有资产监督管理委员会、国家市场监督管理总局五部门近日联合印发《加快电力装备绿色低碳创新发展行动计划》,...

分类:业界要闻 时间:2022/8/30 阅读:2207

EPC推出具有最高功率密度和效率的100V耐辐射晶体管

宜普电源转换公司(EPC)扩展了其耐辐射氮化镓产品系列,新推的100V产品用于要求严格的机载和其他高可靠性环境下的电源转换解决方案,进一步为这个产品系列添加第五个成员。 ...

分类:新品快报 时间:2022/7/15 阅读:3535

高功率密度技术

电源 IC 支持高效高功率密度 140W ?PD3.1 适配器设计

GaNSense 半桥 IC 使 ZVS AHB 反激式拓扑能够以更高的频率运行,并使用更小的变压器和更高的效率。140 W PD 3.1 评估板展示了完整系统设计的功能和性能。该评估板在 90 VAC...

设计应用 时间:2024/1/15 阅读:970

电源 IC 支持高效高功率密度 140W ?PD3.1 适配器设计

对减小电源尺寸的需求不断增长,不断挑战该行业生产越来越高的效率和功率密度。由于硅器件达到其最大频率限制(<100 kHz),提高硅基电源性能的能力已经放缓,这阻碍了...

设计应用 时间:2023/12/25 阅读:811

实现高功率密度的权衡是什么?

长期以来,研究人员一直专注于缩小电子系统和电源的尺寸以及提高效率。这是因为空间限制和降低功耗的需要。举个例子,一枚空间和重量都有限制的太空火箭,以及必须容纳在那...

设计应用 时间:2023/1/30 阅读:8664

TI - 使用集成 GaN 解决方案提高功率密度

氮化镓 (GaN) 是电力电子行业的热门话题,因为它可以使得 80Plus 钛电源、3.8kW/L 电动汽车 (EV) 车载充电器和 EV 充电站等设计得以实现。在许多应用中, GaN 能够提高功率...

设计应用 时间:2022/10/13 阅读:393

EPC新推最小型化的40 V、1.1 mΩ 场效应晶体管, 可实现最高功率密度

宜普电源转换公司(EPC)新推40 V、1.1 mΩ的氮化镓场效应晶体管(EPC2066),为设计工程师提供比硅MOSFET更小、更高效的器件,用于高性能、占板面积受限的应用。 全球行业领先供应商宜普电源转换公司为业界提供增强型氮化镓(eGaN?)...

新品速递 时间:2022/6/1 阅读:600

非互补有源钳位可实现超高功率密度反激式电源设计

离线反激式电源在变压器初级侧需要有钳位电路(有时称为缓冲器),以在正常工作期间功率MOSFET开关关断时限制其两端的漏源极电压应力。设计钳位电路时可以采用不同的方法。...

设计应用 时间:2022/2/24 阅读:385

450-550W高功率密度AC/DC医疗电源—LOF系列

一、产品介绍 针对医疗行业市场对高功率段电源的需求,金升阳进行AC/DC平台升级,完善高功率段医疗电源产品。推出450W/550W的LOF系列产品,以及-C型(可提供辅源,外接风扇散热),-CF型(可提供辅源,内置风扇散热)拓展封装,为客户...

新品速递 时间:2021/6/4 阅读:630

提高功率密度的利弊与技术详解

受限于有限的空间,要实现一个成功的设计,关键之处通常在于减小电源尺寸。人们始终面临着一个挑战,即在更小的空间内实现更大的功率。更广泛地说电源器件的小型化将继续在现有基础上推动新的市场和应用 的发展。   数十年来,功率密...

基础电子 时间:2020/8/26 阅读:1094

Vishay推出卡扣式功率铝电容器提高功率密度,延长使用寿命

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出 系列小型卡扣式铝电解电容器---193 PUR-SI系列,提高设计功率密度。Vishay BCcomponents 193 PUR-SI系列电容器纹波电流比上一代标准解决方案提高30 %,外形尺寸更...

新品速递 时间:2020/8/17 阅读:5182

降压-升压充电+USB Type-C™PD如何提高功率密度

近几年,降压-升压型充电器变得越来越流行,因为它能够从几乎任何输入源为电池充电,无论输入电压是高于或低于电池电压。  USB Type-C被广泛采用的一大关键性优势是它被认为是目前实现通用适配器和减少相应电子废弃物减少理想方案。虽...

基础电子 时间:2020/7/8 阅读:419

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