ST-采用STSPIN32G4的高功率密度伺服电机驱动器模块化方案
摘要 伺服驱动应用市场对尺寸、功率密度和可靠性均提出严苛要求，这使得设计稳健解决方案充满挑战。意法半导体近期发布的EVLSERVO1参考设计以其紧凑结构和强大性能精准应对这一领域需求。通过系统级优化及采用STSPIN32G4等旗舰器件（...
时间：2025/12/1 阅读：114 关键词：ST
Novosense-打造高功率密度、高可靠的车载辅源解决方案！纳芯微发布新一代车规级PWM控制器NSR2260x-Q1
随着汽车智能化程度不断提高，电源控制系统所处的工况愈加复杂，设计正面临以下关键挑战： 输入波动更剧烈：冷启动、负载切换及瞬态冲击频繁出现，对控制器的动态响应速度与稳压能力提出更高要求；EMI抑制难度加大：多模块并行工作，...
时间：2025/11/26 阅读：100 关键词：Novosense
RECOM推出的“阶梯状”DIN导轨电源（PSU），将高性能与多功能完美融合在其微型封装之中。?RECOM全新推出的高性价比REFIN2U-S90/24/CL系列DIN导轨AC/DC电源，额定输出功率为90W，具备150%的瞬时过载能力（持续4.5s），可有效应对浪涌负载...
分类：新品快报 时间：2025/11/21 阅读：18946
Infineon-英飞凌推出75 mΩ工业级CoolSiC650 V G2系列MOSFET，适用于具备高功率密度需求的中功率应用场景
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）宣布扩展其CoolSiC650 V G2系列MOSFET产品组合，新增75 mΩ规格型号，以满足市场对更紧凑、更高功率密度系统的需求。该系列器件提供多种封装...
时间：2025/11/5 阅读：107 关键词：Infineon
Microchip推出全新DualPack 3 IGBT7电源模块提供高功率密度并简化系统集成
该系列包括六款产品，适用于高增长电机驱动、数据中心及可持续发展应用 随着市场对紧凑型、高效且可靠的电源解决方案的需求持续增长，对可提供更高功率密度并简化系统设计的电源管理器件的需求也随之增加。Microchip Technology Inc....
时间：2025/10/29 阅读：198 关键词：Microchip
Infineon-英飞凌推出12kW高功率密度AI数据中心与服务器电源（PSU）参考设计
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）宣布推出一款适用于AI数据中心与服务器的12 kW高性能电源（PSU）参考设计。该参考设计兼具高效率和高功率密度的优势，并采用了包含硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）在内相关...
时间：2025/9/16 阅读：324 关键词：Infineon
ROHM推出高功率密度新型SiC模块，将实现车载充电器小型化！
知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出4in1及6in1结构的SiC塑封型模块“HSDIP20”。该系列产品非常适用于xEV（电动汽车）车载充电器（以下简称“OBC”）的PFC*1和LLC*2转换器等应用。HSDIP20的产品阵容包括750V耐压...
时间：2025/4/27 阅读：135 关键词：ROHM
Infineon - 英飞凌推出用于超高功率密度设计的全新E型XDP混合反激控制器IC
继推出业界首款PFC和混合反激（HFB）组合IC后，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）又推出E型混合反激控制器系列。专为高性能应用设计的全新XDP混合反激数字控制器系列，采用...
时间：2025/4/3 阅读：216
英飞凌推出用于超高功率密度设计的全新E型XDP 混合反激控制器IC
业界首款PFC和混合反激（HFB）组合IC后，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）又推出E型混合反激控制器系列。专...
分类：新品快报 时间：2025/3/27 阅读：1546 关键词：英飞凌
Infineon - 英飞凌推出新一代高功率密度功率模块，赋能AI数据中心垂直供电
功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）宣布推出新一代高密度功率模块，该模块将在实现AI和高性能计算方面发挥关键作用。全新OptiMOS TDM2454xx四相功率模块通过提升系统性能并结合英飞...
时间：2025/3/18 阅读：168 关键词：英飞凌
汽车电源设计人员不仅要选择合适的拓扑和控制器以满足外形、效率等规格要求，还需符合国际标准化组织 26262 确定的汽车安全完整性等级标准。过去，设计人员多使用在半桥拓...
设计应用 时间：2025/7/1 阅读：403
对降低电源的需求不断增长，这不断挑战该行业，以产生越来越高的效率和电力密度。由于硅设备达到其最大频率极限（<100 kHz），改善基于硅电源的性能的能力已减慢，这阻...
设计应用 时间：2025/4/8 阅读：839
LEM HAH1电流传感器 LEM对Danfoss DCM模块的HAH1电流传感器的定制设计是高功率汽车应用中DC，AC或脉冲电流电子测量的一系列单相产品的一部分。 HAH1具有出色的精度，非...
设计应用 时间：2025/3/21 阅读：984
为了实现 xEV 的广泛采用，延长行驶里程和降低电池成本至关重要。其中一个关键因素是最大限度地减少功率损耗并缩小逆变器中使用的电源模块的尺寸。自 1997 年以来，三菱电...
设计应用 时间：2024/11/28 阅读：358
电源 IC 支持高效高功率密度 140W ?PD3.1 适配器设计
GaNSense 半桥 IC 使 ZVS AHB 反激式拓扑能够以更高的频率运行，并使用更小的变压器和更高的效率。140 W PD 3.1 评估板展示了完整系统设计的功能和性能。该评估板在 90 VAC...
设计应用 时间：2024/1/15 阅读：1242
电源 IC 支持高效高功率密度 140W ?PD3.1 适配器设计
对减小电源尺寸的需求不断增长，不断挑战该行业生产越来越高的效率和功率密度。由于硅器件达到其最大频率限制（<100 kHz），提高硅基电源性能的能力已经放缓，这阻碍了...
设计应用 时间：2023/12/25 阅读：1047
长期以来，研究人员一直专注于缩小电子系统和电源的尺寸以及提高效率。这是因为空间限制和降低功耗的需要。举个例子，一枚空间和重量都有限制的太空火箭，以及必须容纳在那...
设计应用 时间：2023/1/30 阅读：8816
氮化镓 (GaN) 是电力电子行业的热门话题，因为它可以使得 80Plus 钛电源、3.8kW/L 电动汽车 (EV) 车载充电器和 EV 充电站等设计得以实现。在许多应用中， GaN 能够提高功率...
设计应用 时间：2022/10/13 阅读：529
EPC新推最小型化的40 V、1.1 mΩ 场效应晶体管， 可实现最高功率密度
宜普电源转换公司（EPC）新推40 V、1.1 mΩ的氮化镓场效应晶体管（EPC2066），为设计工程师提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面积受限的应用。 全球行业领先供应商宜普电源转换公司为业界提供增强型氮化镓（eGaN?）...
新品速递 时间：2022/6/1 阅读：788
离线反激式电源在变压器初级侧需要有钳位电路（有时称为缓冲器），以在正常工作期间功率MOSFET开关关断时限制其两端的漏源极电压应力。设计钳位电路时可以采用不同的方法。...
设计应用 时间：2022/2/24 阅读：541
