ROHM推出高功率密度新型SiC模块,将实现车载充电器小型化!
知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,推出4in1及6in1结构的SiC塑封型模块“HSDIP20”。该系列产品非常适用于xEV(电动汽车)车载充电器(以下简称“OBC”)的PFC*1和LLC*2转换器等应用。HSDIP20的产品阵容包括750V耐压...
时间:2025/4/27 阅读:87 关键词:ROHM
Infineon - 英飞凌推出用于超高功率密度设计的全新E型XDP混合反激控制器IC
继推出业界首款PFC和混合反激(HFB)组合IC后,全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)又推出E型混合反激控制器系列。专为高性能应用设计的全新XDP混合反激数字控制器系列,采用...
时间:2025/4/3 阅读:155
英飞凌推出用于超高功率密度设计的全新E型XDP 混合反激控制器IC
业界首款PFC和混合反激(HFB)组合IC后,全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)又推出E型混合反激控制器系列。专...
分类:新品快报 时间:2025/3/27 阅读:1504 关键词:英飞凌
Infineon - 英飞凌推出新一代高功率密度功率模块,赋能AI数据中心垂直供电
功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)宣布推出新一代高密度功率模块,该模块将在实现AI和高性能计算方面发挥关键作用。全新OptiMOS TDM2454xx四相功率模块通过提升系统性能并结合英飞...
时间:2025/3/18 阅读:81 关键词:英飞凌
TDK Lambda - 新品速递:高效率!高功率密度!无风扇!新一代极具竞争力 350W 工业电源!
● 高效率:高达 95.5%, 节能、节约系统发热● 高功率密度: 4” x 5” 小尺寸, 紧凑型设计● 无风扇设计:自然冷却输出功率高达 350W TDK 公司宣布旗下TDK-Lambda品牌推出新一代高效率、高功率密度、无风扇AC-DC工业电源GUS350系列,...
时间:2025/2/28 阅读:126 关键词:半导体
Mouser - 贸泽电子开售能为数据中心应用提供高功率密度的 Molex UltraWize线对板连接器
提供超丰富半导体和电子元器件的业界知名新品引入 (NPI) 代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售Molex的UltraWize线对板电源连接器。UltraWize电源连接器专为要求严苛的数据中心环境而设计,能为服务器 (GPU)、交换机和其他数据...
时间:2025/2/20 阅读:110 关键词: 贸泽电子
Nexperia的AC/DC反激式控制器可实现更高功率密度的基于GaN的反激式转换器
Nexperia今天推出了一系列新的AC/DC反激式控制器,进一步壮大其不断扩展的电源IC产品组合。NEX806/8xx和NEX8180x专为基于GaN的反激式转换器而设计,用于PD(Power Delivery)快速充电器、适配器、壁式插座、条形插座、工业电源和辅助电源等...
时间:2025/2/19 阅读:80 关键词:半导体
Infineon - 英飞凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化镓功率分立器件
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日宣布推出新型高压分立器件系列CoolGaN 650 V G5晶体管,该系列进一步丰富了英飞凌氮化镓(GaN)产品组合。该新产品系列的适用范围广泛,包括USB-C适配器和充电器、照明、电视...
时间:2024/11/26 阅读:100 关键词:英飞凌
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日宣布推出新型高压分立器件系列CoolGaN 650 V G5晶体管,该系列进一步丰富了英飞凌氮化镓(GaN)产品组合。该新...
分类:新品快报 时间:2024/11/21 阅读:348 关键词:英飞凌
贸泽电子开售能为数据中心应用提供高功率密度的 Molex UltraWize线对板连接器
提供超丰富半导体和电子元器件的业界知名新品引入 (NPI) 代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售Molex的UltraWize线对板电源连接器。UltraWize电源连接器专为要求...
分类:新品快报 时间:2024/10/15 阅读:390 关键词:贸泽电子
Keysight - 高精度与高功率密度齐头并进,解锁数据中心测试的未来蓝图
为了满足高速数据传输需求,数据中心蓬勃发展,在这个过程中光器件的作用变得越来越重要。实现电信号与光信号之间的高效转换需要精确的测试解决方案,尤其是用于对高度集成的光器件执行测试的解决方案。尽管这些器件的测试还面临严峻挑战...
时间:2024/8/19 阅读:80 关键词:半导体
Chroma - 全新高功率密度的62000E系列直流电源供应器,电压输出达1200V-适用于车用组件测试
近年来,消费者对于新能源车性能要求越来越高的趋势下,车用电子组件厂商纷纷推出高压元器件,其中也包含碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)第三代半导体材料组件的导入。随着元器件操作额定的提升,生产厂商于测试验证上也更为严谨,主要依据车用...
时间:2024/7/31 阅读:92 关键词:半导体
Infineon - 英飞凌推出全新CoolSiCMOSFET 2000 V, 在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiCMOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求,而且即使面对严格的高电压和开关频率要求,也不会降低系统可靠性...
时间:2024/3/21 阅读:114 关键词:电子
Vishay的新款80 V对称双通道 MOSFET的RDS(ON) 达到业内先进水平,可显著提高功率密度、能效和热性能
日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新型80 V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF4800LDT,将高边和低边TrenchFET Gen IV MOSFET组...
分类:新品快报 时间:2024/3/15 阅读:497 关键词:MOSFET
英飞凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000 V,在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求...
分类:新品快报 时间:2024/3/14 阅读:585 关键词:电子