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ST-意法半导体新MasterGaN功率芯片整合设计灵活性和先进GaN技术

面向消费电子充电器和电源适配器、工业照明电源、太阳能微逆变器　　意法半导体推出了MasterGaN系列氮化镓功率开关管半桥的第二代产品MasterGaN6，该功率系统级封装(SiP)在一个封装内集成新的BCD栅极驱动器和导通电阻(RDS(on))仅140mΩ的...

时间：2026/3/20 阅读：33 关键词：ST

Infineon-英飞凌发布《2026年GaN技术展望》：技术创新引领功率半导体领域氮化镓高速增长

至2030年，氮化镓（GaN）市场规模预计将达到30亿美元，年复合增长率高达44%　　英飞凌高压GaN双向开关采用变革性的共漏极设计与双栅极结构　　GaN功率半导体拓展至AI、机器人、量子计算等新兴市场　　氮化镓（GaN）电源解决方案的普及正...

时间：2026/3/16 阅读：309 关键词：Infineon

Infineon-英飞凌XDP混合反激式控制器与CoolGaN技术赋能安克业界领先的160W Prime充电器

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）宣布与领先的快充电源设备制造商安克（Anker）扩大合作，共同开发新一代高速充电器，实现高达160W功率的输出，同时保持紧凑、便携的口袋级尺...

分类：新品快报 时间：2026/2/26 阅读：55069 关键词：Infineon

ST-GAN技术在电机控制中的优势

GaN技术在不同应用中的优势　　满足日益增长的高能效和高功率性能的需求，同时不断降低成本和尺寸是当今功率电子行业面临的主要挑战。　　较新的宽禁带化合物半导体材料氮化镓(GaN)的引入代表功率电子行业在朝着这个方向发展，并且，随着...

时间：2025/11/27 阅读：141 关键词：ST

Infineon-英飞凌CoolGaN技术助力提升环隆科技PoE以太网供电器应用的电源性能

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）为环隆科技股份有限公司（UMEC）提供CoolGaN功率晶体管，应用于其新型250 W网络以太网供电（PoE）适配器。英飞凌CoolGaN晶体管具备极高的可...

时间：2025/11/5 阅读：144 关键词：Infineon

Power Integrations发布新技术白皮书，深度解读适用于下一代800VDC AI数据中心的1250V和1700V PowiGaN技术

该公司正在与英伟达(NVIDIA)合作开发800VDC供电架构；新发布的白皮书剖析了1250V PowiGaN技术相较于650V GaN和1200V SiC的优势　　深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日发布...

时间：2025/11/3 阅读：180

Renesas -Transphorm GaN技术引领氮化镓革命

长期以来，宽禁带行业一直围绕两种不同架构氮化镓晶体管争论高下——常闭耗尽型（D-mode）和增强型（E-mode）氮化镓。在设计电路时，人们倾向于使用增强型（E-mode）晶体管，但其实无论从性能、可靠性、多样性、可制造性以及实际用途方面...

时间：2024/7/23 阅读：169 关键词：GaN技术

Renesas ——Transphorm GaN技术引领氮化镓革命

*瑞萨电子已于2024年6月20日完成对Transphorm的收购，以下为中电网于收购完成之前对Transphorm的采访文章。　　长期以来，宽禁带行业一直围绕两种不同架构氮化镓晶体管争论高下--常闭耗尽型（D-mode）和增强型（E-mode）氮化镓。在设计电...

时间：2024/7/19 阅读：196 关键词：半导体

瑞萨收购Transphorm，利用GaN技术扩展电源产品阵容

增强瑞萨宽禁带专业知识和产品路线图发展，以应对电动汽车、数据中心、　　人工智能电源以及可再生能源快速增长的市场机遇　　2024年1月11日　　Transphorm CEO Primit Parikh博士及瑞萨CEO柴田英利　　2024 年 1 月 11 日3:00 p.m. JST...

时间：2024/3/22 阅读：209 关键词：电子