Renesas -Transphorm GaN技术引领氮化镓革命

长期以来，宽禁带行业一直围绕两种不同架构氮化镓晶体管争论高下——常闭耗尽型（D-mode）和增强型（E-mode）氮化镓。在设计电路时，人们倾向于使用增强型（E-mode）晶体管，但其实无论从性能、可靠性、多样性、可制造性以及实际用途方面...

时间：2024/7/23 阅读：2 关键词：GaN技术

Renesas ——Transphorm GaN技术引领氮化镓革命

*瑞萨电子已于2024年6月20日完成对Transphorm的收购，以下为中电网于收购完成之前对Transphorm的采访文章。　　长期以来，宽禁带行业一直围绕两种不同架构氮化镓晶体管争论高下--常闭耗尽型（D-mode）和增强型（E-mode）氮化镓。在设计电...

时间：2024/7/19 阅读：10 关键词：半导体

瑞萨收购Transphorm，利用GaN技术扩展电源产品阵容

增强瑞萨宽禁带专业知识和产品路线图发展，以应对电动汽车、数据中心、　　人工智能电源以及可再生能源快速增长的市场机遇　　2024年1月11日　　Transphorm CEO Primit Parikh博士及瑞萨CEO柴田英利　　2024 年 1 月 11 日3:00 p.m. JST...

时间：2024/3/22 阅读：102 关键词：电子

松下开发出石墨底板上生长GaN技术 探明结晶生长机理

松下宣布开发出在Graphite（石墨）底板上生长高质量GaN结晶薄膜的技术，并大致探明了其生长原理。这是松下在长崎大学举办的第71届应用物理学会学术演讲会上公布的（演讲号码15p-B-11）。GaN以往一般是在蓝宝石底板或者GaN底板上外延生长...

分类：业界要闻 时间：2010/9/25 阅读：1520

Vishay采用超亮InGan技术的新款白光3mm LED

日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出一款新型白光、无散射的3mmLED---VLHW4100，该LED针对高端应用进行了优化，可满足应用对极高发光强度的要求。VLHW4100使用超亮InGaN技术，在20mA电流下的

分类：新品快报 时间：2010/9/3 阅读：187 关键词：leadVishay

Vishay 推出新款LED 采用超亮InGan技术

日前，Vishay宣布，推出一款新型白光、无散射的3mmLED--VLHW4100，该LED针对高端应用进行了优化，可满足应用对极高发光强度的要求。VLHW4100使用超亮InGaN技术，在20mA电流下的发光强度为4500mcd至11250mcd

分类：新品快报 时间：2010/9/2 阅读：228 关键词：leadVishay

IQE收购英国GaN技术创新企业NanoGaN

加利福尼亚州圣何塞——专门为光电产业、太阳能及LED照明市场提供外延片和基板的制造商IQE公司在近日宣布收购英国一家专门研制GaN技术的新创公司NanoGaN。本次交易金额高达360万英镑（约576万美元），主要是得益于NanoGaN申请的专利

分类：名企新闻 时间：2009/10/10 阅读：758

比利时IMEC：降低GaN技术成本致力于推动GaN技术发展

比利时研究中心（IMEC）推出一项联合开发计划（IIAP：industrialaffiliationprogram），目标是降低氮化鎵（GaN）技术成本，采用大直径的硅基氮化鎵（GaN-on-Si），并开发高效率、大功率白光LED，致力于推动氮化鎵

分类：业界要闻 时间：2009/7/21 阅读：941