类别:其他 出处:网络整理 发布于:2024-03-22 15:52:44 | 124 次阅读
增强瑞萨宽禁带知识和产品路线图发展,以应对电动汽车、数据中心、
人工智能电源以及可再生能源快速增长的市场机遇2024 年 1 月 11 日3:00 p.m. JST,日本东京 | 2024 年 1 月 10 日 10:00 p.m. PST 加利福尼亚州戈利塔讯 ― 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(以下“瑞萨”,TSE:6723)与全球氮化镓(GaN)功率半导体供应商Transphorm, Inc.(以下“Transphorm”,Nasdaq:TGAN)于今天宣布双方已达成终协议,根据该协议,瑞萨子公司将以每股5.10美元现金收购Transphorm所有已发行普通股,较Transphorm在2024年1月10日的收盘价溢价约35%,较过去十二个月的成交量加权平均价格溢价约56%,较过去六个月的成交量加权平均价格溢价约78%。 此次交易对Transphorm的估值约为3.39亿美元。此次收购将为瑞萨提供GaN(功率半导体的下一代关键材料)的内部技术,从而扩展其在电动汽车、计算(数据中心、人工智能、基础设施)、可再生能源、工业电源以及快速充电器/适配器等快速增长市场的业务范围。
作为碳中和的基石,对高效电力系统的需求正在不断增加。为了应对这一趋势,相关产业正在向以碳化硅(SiC)和GaN为代表的宽禁带(WBG)材料过渡。这些先进材料比传统硅基器件具备更广泛的电压和开关频率范围。在此势头下,瑞萨已宣布建立一条内部SiC生产线,并签署了为期10年的SiC晶圆供应协议。凡本网注明“出处:维库电子市场网”的所有作品,版权均属于维库电子市场网,转载请必须注明维库电子市场网,https://www.dzsc.com,违反者本网将追究相关法律责任。
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