Renesas -Transphorm GaN技术引领氮化镓革命
长期以来,宽禁带行业一直围绕两种不同架构氮化镓晶体管争论高下——常闭耗尽型(D-mode)和增强型(E-mode)氮化镓。在设计电路时,人们倾向于使用增强型(E-mode)晶体管,但其实无论从性能、可靠性、多样性、可制造性以及实际用途方面...
时间:2024/7/23 阅读:4 关键词:GaN技术
Renesas ——Transphorm GaN技术引领氮化镓革命
*瑞萨电子已于2024年6月20日完成对Transphorm的收购,以下为中电网于收购完成之前对Transphorm的采访文章。 长期以来,宽禁带行业一直围绕两种不同架构氮化镓晶体管争论高下--常闭耗尽型(D-mode)和增强型(E-mode)氮化镓。在设计电...
时间:2024/7/19 阅读:11 关键词:半导体
瑞萨收购Transphorm,利用GaN技术扩展电源产品阵容
增强瑞萨宽禁带专业知识和产品路线图发展,以应对电动汽车、数据中心、 人工智能电源以及可再生能源快速增长的市场机遇 2024年1月11日 Transphorm CEO Primit Parikh博士及瑞萨CEO柴田英利 2024 年 1 月 11 日3:00 p.m. JST...
时间:2024/3/22 阅读:102 关键词:电子
英飞凌和松下携手加速650V GaN功率器件的GaN技术开发
英飞凌科技股份公司和松下公司签署协议,共同开发和生产第二代(Gen2)成熟的氮化镓(GaN)技术,提供更高的效率和功率密度水平。杰出的性能和可靠性与8英寸硅基氮化镓晶圆...
分类:名企新闻 时间:2021/9/9 阅读:1708
Power Integrations推出全新LYTSwitch-6 LED驱动器IC - 采用PowiGaN技术,可提供优异的功率密度和效率
高效率、高可靠性LED驱动器IC领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日推出LYTSwitch?-6系列安全隔离型LED驱动器IC的成员 —— 适合智能照明应用的...
分类:新品快报 时间:2019/9/11 阅读:2192 关键词:LED驱动器
松下宣布开发出在Graphite(石墨)底板上生长高质量GaN结晶薄膜的技术,并大致探明了其生长原理。这是松下在长崎大学举办的第71届应用物理学会学术演讲会上公布的(演讲号码15p-B-11)。GaN以往一般是在蓝宝石底板或者GaN底板上外延生长...
分类:业界要闻 时间:2010/9/25 阅读:1520
日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出一款新型白光、无散射的3mmLED---VLHW4100,该LED针对高端应用进行了优化,可满足应用对极高发光强度的要求。VLHW4100使用超亮InGaN技术,在20mA电流下的
日前,Vishay宣布,推出一款新型白光、无散射的3mmLED--VLHW4100,该LED针对高端应用进行了优化,可满足应用对极高发光强度的要求。VLHW4100使用超亮InGaN技术,在20mA电流下的发光强度为4500mcd至11250mcd
加利福尼亚州圣何塞——专门为光电产业、太阳能及LED照明市场提供外延片和基板的制造商IQE公司在近日宣布收购英国一家专门研制GaN技术的新创公司NanoGaN。本次交易金额高达360万英镑(约576万美元),主要是得益于NanoGaN申请的专利
分类:名企新闻 时间:2009/10/10 阅读:758
比利时研究中心(IMEC)推出一项联合开发计划(IIAP:industrialaffiliationprogram),目标是降低氮化鎵(GaN)技术成本,采用大直径的硅基氮化鎵(GaN-on-Si),并开发高效率、大功率白光LED,致力于推动氮化鎵
分类:业界要闻 时间:2009/7/21 阅读:941
日前,VishayIntertechnology,Inc.(威世)宣布推出基于蓝宝石(sapphire)的新系列高强度蓝光SMDLED,这些器件以低于标准InGaN蓝光LED的价格提供了高效的InGaN技术。该VLMB41XX系列中的六款新型SMD
Vishay新系列超亮白光SMD LED采用高效InGaN技术
Vishay日前宣布推出新系列超亮白光SMDLED,这些器件采用高效的InGaN技术,可在0603的占位面积上实现出色的亮度。凭借1.6mmx0.8mmx0.6mm的尺寸,新型VLMW1100系列白光LED可实现具有更高性能、更高设计灵活性及增强型