高功率密度

高功率密度资讯

安森美碳化硅二极管提供更高能效、更高功率密度和低成本

2018年2月28日,推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON)推出650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管系列产品,扩展了SiC二极管产品组合。这...

分类:新品快报 时间:2018/3/1 阅读:533 关键词:碳化硅二极管

Vishay新款FRED Pt®Ultrafast整流器不仅可节省空间,更可提高功率密度并改善热性能

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出13款200V到600VFRED Pt超快恢复整流器。均采用eSMP系列SlimDPAK(TO-252AE)封装。每种产品都有汽车级和商用/工业级版本。Vishay Semiconductors整流器比传统DPAK(TO-2...

分类:新品快报 时间:2017/12/26 阅读:595

高功率密度3W SIP7封装DC/DC转换器

RECOM的新型RKZ3 DC/ DC系列是现有同封装的2W SIP7转换器的升级版,以相同的尺寸,可提供50%额外的输出功率。RKZ3系列是一款高隔离3W DC/ DC转换器,适用于严苛的工业应...

分类:新品快报 时间:2017/10/24 阅读:759 关键词: DC/DC转换器SIP7封装

Han® 34 HPR:在轨道车辆大电流领域实现更高功率密度

浩亭推出Han 34 HPR EasyCon – 满足大电流更高环境需求的全新解决方案。该连接器具有较高的功率密度,特别适合诸如车厢转接(弯角型)等轨道车辆以及牵引装置发动机的连接(直角型)。   Han 34 HPR外壳和固定框架的设计方式,使得它...

分类:名企新闻 时间:2017/8/26 阅读:223

Infineon采用TO-247PLUS封装的高功率密度单管IGBT

英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)进一步壮大1200 V单管IGBT产品组合阵容,推出电流达75 A的新产品系列。TO-247PLUS封装同时还集成全额定电流反并联二极管。全新TO-247PLUS 3脚和4脚封装可满足对更高功率密度和更高效率不断...

分类:新品快报 时间:2017/7/19 阅读:574 关键词:Infineon

2017成都电源集成技术和高功率密度设计研讨会

(一) 会议背景  “2017成都电源集成技术和高功率密度设计研讨会”是由商务部支持,中国电子展组委会策划主办,电源网及重庆电源学会协办的电源研讨会。旨在为电源设计...

分类:业界要闻 时间:2017/7/5 阅读:314 关键词:电源技术中电展

采用TO-247PLUS封装的高功率密度单管IGBT

科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)进一步壮大1200 V单管产品组合阵容,推出电流达75 A的新产品系列。同时还集成全额定电流反并联二极管。全新TO-247PLUS 3脚和4脚封...

分类:新品快报 时间:2017/6/28 阅读:728 关键词:IGBT单管封装

Vishay的新款高功率密度电阻在节省宝贵系统空间,还可减少系统所需器件数量和成本

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新系列厚膜表面贴装的卷包片式电阻---RCWH,电阻的功率等级达到0.33W,外形尺寸为0805。Vishay Dale RCWH系列电阻的功率密度是相同占位的标准电阻的2.5倍以上,在通...

分类:新品快报 时间:2017/5/26 阅读:218 关键词:Vishay

Vishay的新款高功率密度电阻在节省宝贵系统空间的同时,还可显著减少系统所需器件数量和成本

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新系列厚膜表面贴装的卷包片式电阻---RCWH,电阻的功率等级达到0.33W,外形尺寸为0805。Vishay Dale...

分类:新品快报 时间:2017/5/24 阅读:222 关键词:vishay电阻

Vishay的新款高功率密度电阻节省系统空间同时还可减少系统所需器件数量和成本

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新系列厚膜表面贴装的卷包片式电阻---RCWH,电阻的功率等级达到0.33W,外形尺寸为0805。Vishay Dale RCWH系列电阻的功率密度...

分类:新品快报 时间:2017/5/19 阅读:317 关键词:Vishay电阻

Vishay新推高功率密度电阻,节省空间并显著减少系统所需器件数量和成本

Vishay推出新系列厚膜表面贴装的卷包片式电阻---RCWH,电阻的功率等级达到0.33W,外形尺寸为0805。Vishay Dale RCWH系列电阻的功率密度是相同占位的标准电阻的2.5倍以上,...

分类:新品快报 时间:2017/5/17 阅读:480 关键词:Vishay

Vishay新款30V MOSFET具有高功率密度和高效率等特性

日前, Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,发布新的30V N沟道TrenchFET? 第四代功率---SiA468DJ,为移动设备、消费电子和电源提供了更高的功率密度和效率。Vishay Siliconix SiA468DJ采用超小尺寸PowerPAK? SC-70封装,...

分类:新品快报 时间:2017/4/25 阅读:440 关键词:MOSFETVishay

面向高功率密度应用的集成化MOSFET调压器可减少外围器件数量

英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)今日推出IR3883,它是一种简单易用的全集成型高效直流-直流调压器,主要面向需要高能效、高可靠性和良好散热管理的高密度负载点应用。该器件非常适合用于网络、电信、服务器和存储解决方案。该...

分类:名企新闻 时间:2017/4/8 阅读:653 关键词:MOSFET调压器

Infineon 全新 62mm 封装模块实现更高功率密度

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)进一步壮大其62mm封装IGBT模块阵容。新推出的功率模块可满足提高功率密度而不增加封装尺寸这一与日俱增的需求,这应归功于将更大面积的芯片和经改良的DCB衬底应用于成熟的62mm封

分类:名企新闻 时间:2017/4/8 阅读:495 关键词:Infineon

英飞凌推出全新 62mm 封装IGBT模块,实现更高功率密度

英飞凌科技股份公司进一步壮大其62mm封装IGBT模块阵容。新推出的功率模块可满足提高功率密度而不增加封装尺寸这一与日俱增的需求,这应归功于将更大面积的芯片和经改良的DCB衬底应用于成熟的62mm封装而得以实现。1200V阻断电压模块的典型...

分类:新品快报 时间:2017/3/18 阅读:598 关键词:IGBT