英飞凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化镓功率分立器件

类别:新品快报  出处:网络整理  发布于:2024-11-21 11:59:05 | 337 次阅读

  英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日宣布推出新型高压分立器件系列CoolGaN 650 V G5晶体管,该系列进一步丰富了英飞凌氮化镓(GaN)产品组合。该新产品系列的适用范围广泛,包括USB-C适配器和充电器、照明、电视、数据中心、电信整流器等消费和工业开关电源(SMPS)、可再生能源,以及家用电器中的电机驱动器。

  CoolGaN 650 V G5晶体管
  一代CoolGaN晶体管可直接替代CoolGaN 600 V G1晶体管,实现了现有平台的快速重新设计。新器件改进了性能指标,确保为重点应用带来具有竞争力的开关性能。与主要同类产品和英飞凌之前的产品系列相比,CoolGaN 650 V G5晶体管输出电容中存储的能量(Eoss)降低了多达50%,漏源电荷(Qoss)和栅极电荷(Qg)均减少了多达 60%。凭借这些特性,新器件在硬开关和软开关应用中都具有出色的效率。与传统的半导体技术相比,其功率损耗大幅降低,根据具体使用情况可降低20%-60%。
关键词:英飞凌

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