Nexperia（安世半导体）近日宣布推出一系列高性能栅极驱动器IC，可用于驱动同步降压或半桥配置中的高边和低边N沟道MOSFET。这些驱动器包含车规级和工业级版本，性能上兼具高电流输出和出色的动态性能，可大幅提高应用效率和鲁棒性。
其中，NGD4300-Q100达到车规级标准，非常适合电动助力转向和电源转换器应用；NGD4300则设计用于消费类设备、服务器和电信设备中的DC-DC转换器以及各种工业应用中的微型逆变器。
这些IC中的高边驱动器可以在不超过120 V的直流总线电压下工作，其中集成了二极管的自举电源有助于缩小PCB尺寸，简化整体系统设计。此系列器件可提供高达4 A（峰值）的拉电流和5 A的灌电流，即使在重负载下也能确保上升和下降时间较短。其延迟特性还显著优于类似竞品，输入输出延迟低至13纳秒，通道间延迟误差仅1纳秒，有助于进一步提高开关占空比，从而缩短死区时间。这些栅极驱动器的上升时间为4纳秒，下降时间为3.5纳秒（典型值），可促进提高效率，支持高频和快速系统控制。除此之外还能兼容输入控制信号，可接受TTL和CMOS两种逻辑电平。
Nexperia IC解决方案业务部门总经理Irene Deng表示：
这些器件是我们新推出的高性能半桥栅极驱动器产品组合中的第一批产品。此次发布凸显了Nexperia如何利用工艺创新来满足市场对稳健栅极驱动器日益增长的需求，新系列器件更是在提高消费类、工业和汽车应用电源转换器效率的同时，增强了电机控制稳定性。
这些IC采用了绝缘体硅片(SOI)工艺，将HS引脚的负电压耐受能力扩展到-5 V，大幅降低系统寄生元件和意外尖峰造成芯片损坏的风险，从而确保在电源转换和电机驱动应用中实现出色的鲁棒性。NGD4300和NGD4300-Q100提供DFN-8、SO-8和HSO-8三种封装选择，方便工程师根据应用需求在器件尺寸和热性能之间灵活取舍。
