类别：新品快报 出处：网络整理 发布于：2024-11-21 11:56:00 | 308 次阅读
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用PowerPAK SO-8S（QFN 6x5）封装的全新150 V TrenchFET Gen V N沟道功率MOSFET---SiRS5700DP，旨在提高通信、工业和计算应用领域的效率和功率密度。与上一代采用PowerPAK SO-8封装的器件相比，Vishay Siliconix SiRS5700DP的总导通电阻降低了68.3 %，导通电阻和栅极电荷乘积（功率转换应用中MOSFET的关键品质因数（FOM）降低了15.4 %，RthJC降低了62.5 %，而连续漏极电流增加了179 %。
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