GaN 功率晶体管

GaN 功率晶体管资讯

Infineon - 英飞凌推出提升消费和工业应用性能的CoolGaN 700 V功率晶体管

功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出全新CoolGaN晶体管700 V G4产品系列。与市场上的其他氮化镓(GaN)产品相比,该系列晶体管的输入和输出性能优化了20%,从而提高效率,降低...

时间:2024/8/8 阅读:43 关键词:英飞凌

英飞凌推出提升消费和工业应用性能的CoolGaN 700 V功率晶体管

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出全新CoolGaN晶体管700 V G4产品系列。与市场上的其他氮化镓(GaN)产...

分类:新品快报 时间:2024/7/12 阅读:315 关键词:晶体管

瑞萨电子与 Transphorm 达成交易后推出 GaN 功率晶体管

瑞萨电子已完成对 GaN 晶体管制造商 Transphorm 的收购。  瑞萨电子表示:“随着此次收购的完成,瑞萨电子将立即开始提供基于 GaN 的电源产品和相关参考设计,以满足对宽...

分类:名企新闻 时间:2024/6/24 阅读:336 关键词:瑞萨电子

Navitas 最近推出了具有单片集成栅极驱动器的第四代 GaN 功率晶体管

该公司以 GaNsafe 为品牌,增强了与驱动器集成的保护功能,并采用 10 x 10mm TOLL 封装,并采用定制内部引线框架(下图)。 初始产品的额定电压为 650V(800V 瞬态),...

分类:新品快报 时间:2023/9/11 阅读:525 关键词:MPU

NSREC:用于太空的 40V 抗辐射 GaN 功率晶体管

EPC7001具有4mΩ导通电阻、60A(250A 300μs脉冲25°C)容量,占用面积7mm 2 EPC7002 开启至 14.5mΩ,可通过其 1.87mm 2占位面积处理 10A(62A 300μs 脉冲 25°C) ...

分类:新品快报 时间:2023/7/21 阅读:442 关键词: GaN 功率晶体管

GaN Systems - 氮化镓功率晶体管价格降至1美元以下

GaN(氮化镓)功率晶体管的 GaN Systems今天宣布,其低电流,大批量氮化镓晶体管的价格已跌至1美元以下。 这些晶体管通常用于智能手机和笔记本电脑以及各种消费品和工业应用的氮化镓充电器和AC适配器。 随着 众多消费者,企业和工业...

分类:名企新闻 时间:2021/6/8 阅读:522

高频开关eGaN?功率晶体管、极小型化及增强了效率的电源转换方案

GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点,是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,并与SIC、金刚石等半导体材料一起,被誉为是继代Ge、Si半导体材料...

分类:名企新闻 时间:2018/7/17 阅读:912 关键词:电源晶体管

EPC推出350V新款eGaN功率晶体管 相比硅产品尺寸缩小20倍

EPC2050芯片,1.95 mm x 1.95 mm据麦姆斯咨询报道,Efficient Power Conversion(EPC,美国宜普电源转换公司)近日发布了新款350V GaN功率晶体管EPC2050,具有65微欧导通电...

分类:新品快报 时间:2018/4/26 阅读:462 关键词:晶体管

面向无线基站,RFMD推出GaN高功率晶体管系列

RFMD公司日前推出氮化镓(GaN)高电子迁移率(HEMT)高功率晶体管系列,并且正在针对无线基础设施及WiMAX基站客户进行送样。这些晶体管的送样代表了RFMD在0.5um线度GaN高功率晶体管工艺方面取得的成就。RFMD基础设施产品集团副总

分类:业界要闻 时间:2006/7/5 阅读:153 关键词:晶体管

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