GaN 功率晶体管-维库电子市场网

该公司以 GaNsafe 为品牌，增强了与驱动器集成的保护功能，并采用 10 x 10mm TOLL 封装，并采用定制内部引线框架（下图）。初始产品的额定电压为 650V（800V 瞬态），...

分类：新品快报时间：2023/9/11 阅读：491 关键词：MPU

EPC7001具有4mΩ导通电阻、60A（250A 300μs脉冲25°C）容量，占用面积7mm 2 EPC7002 开启至 14.5mΩ，可通过其 1.87mm 2占位面积处理 10A（62A 300μs 脉冲 25°C） ...

分类：新品快报时间：2023/7/21 阅读：406 关键词： GaN 功率晶体管

GaN（氮化镓）功率晶体管的 GaN Systems今天宣布，其低电流，大批量氮化镓晶体管的价格已跌至1美元以下。这些晶体管通常用于智能手机和笔记本电脑以及各种消费品和工业应用的氮化镓充电器和AC适配器。随着众多消费者，企业和工业...

分类：名企新闻时间：2021/6/8 阅读：502

GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继代Ge、Si半导体材料...

分类：名企新闻时间：2018/7/17 阅读：895 关键词：电源晶体管

EPC2050芯片，1.95 mm x 1.95 mm据麦姆斯咨询报道，Efficient Power Conversion（EPC，美国宜普电源转换公司）近日发布了新款350V GaN功率晶体管EPC2050，具有65微欧导通电...

分类：新品快报时间：2018/4/26 阅读：443 关键词：晶体管

RFMD公司日前推出氮化镓(GaN)高电子迁移率(HEMT)高功率晶体管系列，并且正在针对无线基础设施及WiMAX基站客户进行送样。这些晶体管的送样代表了RFMD在0.5um线度GaN高功率晶体管工艺方面取得的成就。RFMD基础设施产品集团副总

分类：业界要闻时间：2006/7/5 阅读：133 关键词：晶体管

GaN 功率晶体管