瑞萨电子与 Transphorm 达成交易后推出 GaN 功率晶体管

类别:名企新闻  出处:网络整理  发布于:2024-06-24 09:48:43 | 344 次阅读

  瑞萨电子已完成对 GaN 晶体管制造商 Transphorm 的收购。
  瑞萨电子表示:“随着此次收购的完成,瑞萨电子将立即开始提供基于 GaN 的电源产品和相关参考设计,以满足对宽带隙半导体产品日益增长的需求。”“投资电源业务是瑞萨电子战略的重要组成部分。”
  该公司近在这方面采取的其他举措包括:开设甲府工厂,在 300 毫米晶圆上生产电源产品,在高崎工厂扩大碳化硅器件生产线,并与 Wolfspeed 签署 10 年 SiC 晶圆供应协议
  Transphorm 总部位于加利福尼亚州戈利塔,成立于 2007 年。
  其技术为共源共栅:将低压增强型硅 mosfet 与高压(650 或 900V)耗尽型 GaN hemt 以共源共栅配置共同封装。
  结果是可以使用用于硅 MOSFET 的传统驱动器而不是 GaN 专用驱动器进行切换的设备。
关键词:瑞萨电子

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