晶圆代工大厂联电耕耘40纳米结合SST嵌入式SuperFlash非挥发性存储器的制程平台有成,可望获得日本东芝(Toshiba)采用于微处理器(MCU)产品线上;大陆8吋晶圆厂华虹半导体的第...
全球主要晶圆代工厂计划在2017年与2018年提供磁阻式随机存取存储器(MRAM)作为嵌入式储存解决方案,可望改变下一代储存技术的游戏规则。迎接嵌入式存储器转型 全球晶圆代工...
近期台积电技术长孙元成在其自家技术论坛中,首次揭露台积电研发多年的eMRAM(嵌入式磁阻式随机存取存储)和eRRAM(嵌入式电阻式存储器)将分别订于明后年进行风险性试产。预...
分类:业界要闻 时间:2017/6/20 阅读:527 关键词:存储器
SamsungFoundry准备开始以28奈米FD-SOI制程,提供SST-MRAM以及快闪记忆体嵌入式非挥发性记忆体(eNVM)选项。三星晶圆代工业务(SamsungFoundry)准备开始以28奈米FD-SOI制程,提供SST-MRAM(spi
NORFlash产业昔日霸主飞索(Spansion)在脱离破产保护后,积极进行大反扑,除了快速处理掉2座晶圆厂卖给德州仪器(TI)外,在产品在线也做大幅度的调整,除巩固车用NORFlash产品线之外,也投入相当大资源在内嵌式NORFlash领域,这
分类:名企新闻 时间:2010/9/29 阅读:322 关键词:存储器
嵌入式设计师将面临45nm左右工艺节点嵌入式存储器设计的艰巨挑战。业界一些公司也纷纷声称,传统SRAM、闪存和DRAM将在这些工艺节点遭遇可扩展性和耐久性问题。因此,嵌入式内存管理不仅具有全新的意义,而且会面临各种设计机遇和相关挑战...
分类:业界要闻 时间:2007/8/28 阅读:349 关键词:存储器
至今磁阻RAM已经上市好几个月了,现在用户对包含嵌入式MRAM的系统级SoC的要求也越来越高。将作为整个系统一部分的嵌入式MRAM集成进未来的微控制器单元(MCU)可以带来诸多好处。MRAM可以按字节访问存储器,因此在存储器划分方面具有很大的...
分类:新品快报 时间:2007/7/13 阅读:1316 关键词:存储器
随着集成电路制造工艺水平的提高,半导体芯片上可以集成更多的功能,为了让产品有别于竞争对手的产品特性,在ASIC上集成存储器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系统级芯片的可靠性。随着对嵌入式存储器需求的持续增长,其复杂性、密度...
分类:业界要闻 时间:2007/7/12 阅读:433 关键词:存储器
绪论 从用户数量和将要支持的服务种类来看,社会对先进的信息服务里,高速Internet接入被认为是理所当然的,语声和低速率数据业务不足以满足用户的要求。支持大量开支带宽的多媒体业务的需求,是用户向蜂窝系统和网络提出的新的挑战。...
设计应用 时间:2020/6/5 阅读:823
随着超大规模集成电路工艺的发展,人类已经进入了超深亚微米时代。先进的工艺使得人们能够把包括处理器、存储器、模拟电路、接口逻辑甚至射频电路集成到一个大规模的芯片上...
设计应用 时间:2017/6/22 阅读:3519
随着集成电路制造工艺水平的提高,半导体芯片上可以集成更多的功能,为了让产品有别于竞争对手的产品特性,在ASIC上集成存储器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系统级芯...
设计应用 时间:2016/7/14 阅读:995
1 引言 建立芯片模型是在早期进行芯片架构决策的有效方法,通过建模不仅可以对芯片的性能做出分析,还可以在硬件没有完成之前开发软件,不仅提高了产品成功率,而且缩短...
技术方案 时间:2014/8/21 阅读:1586
在传统的大规模ASIC和SoC设计中,芯片的物理空间大致可分为以下三部分: 1.用于新的定制逻辑 2.用于可复用逻辑(第三方IP或传统的内部IP) 3.用于嵌入式存储 ...
设计应用 时间:2013/8/13 阅读:2477
引言 近年来,消费者对电子产品的更高性能和更小尺寸的要求持续推动着SoC(系统级芯片)产品集成水平的提高,并促使其具有更多的功能和更好的性能。要继续推动这种无止...
技术方案 时间:2012/11/21 阅读:2538
1.引言 传统上 FPGA只能实现相对较小的逻辑电路,随着工艺技术的提高,FPGA的容量和性能也不断提高,FPGA(Field-Programmable Gate Array),即现场可编程门阵列,它是在PAL、GAL、CPLD等可编程器件的基础上进一步发展的产物。它是...
其它 时间:2011/9/2 阅读:1474
Catalyst新增了三个包含最宽选择范围的嵌入式存储器系列电压监控器件
Catalys新推出了三个系列的电压监控器件,它们包含业内最宽选择范围的嵌入式存储器。CAT130xx系列具有1-,2-,4-,8-或16-kbitMicrowire串行接口的嵌入式EEPROM。CAT140xx和CAT150xx系列则具有2-,4
基础电子 时间:2007/11/30 阅读:1649
德州仪器(TI)推出的TPS79918低压差(LDO)线性调节器为新的Intel StrataFlash嵌入式存储器(P30) 提供了所需性能。英特尔公司正从它的第三代180nm StrataFlash嵌入式存储器(J30)转向它的第四代130nm StrataFlash嵌入式存储器(P30)。这个从J3...
设计应用 时间:2007/11/29 阅读:1984
卓联半导体(Zarlink)日前扩展其DirectConnect系列嵌入式以太网交换芯片,推出一款新的高容量聚集和交换器件,可简化在有线(wired)、无线(wireless)和有线电视(cable)网络中使用的高密度媒体处理、数据平面和控制平台卡
基础电子 时间:2007/11/27 阅读:1361