晶圆代工大厂联电耕耘40纳米结合SST嵌入式SuperFlash非挥发性存储器的制程平台有成，可望获得日本东芝(Toshiba)采用于微处理器(MCU)产品线上;大陆8吋晶圆厂华虹半导体的第...
全球主要晶圆代工厂计划在2017年与2018年提供磁阻式随机存取存储器(MRAM)作为嵌入式储存解决方案，可望改变下一代储存技术的游戏规则。迎接嵌入式存储器转型 全球晶圆代工...
近期台积电技术长孙元成在其自家技术论坛中，首次揭露台积电研发多年的eMRAM（嵌入式磁阻式随机存取存储）和eRRAM(嵌入式电阻式存储器)将分别订于明后年进行风险性试产。预...
分类：业界要闻 时间：2017/6/20 阅读：514 关键词：存储器
SamsungFoundry准备开始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM以及快闪记忆体嵌入式非挥发性记忆体(eNVM)选项。三星晶圆代工业务(SamsungFoundry)准备开始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM(spi
NORFlash产业昔日霸主飞索(Spansion)在脱离破产保护后，积极进行大反扑，除了快速处理掉2座晶圆厂卖给德州仪器(TI)外，在产品在线也做大幅度的调整，除巩固车用NORFlash产品线之外，也投入相当大资源在内嵌式NORFlash领域，这
分类：名企新闻 时间：2010/9/29 阅读：308 关键词：存储器
嵌入式设计师将面临45nm左右工艺节点嵌入式存储器设计的艰巨挑战。业界一些公司也纷纷声称，传统SRAM、闪存和DRAM将在这些工艺节点遭遇可扩展性和耐久性问题。因此，嵌入式内存管理不仅具有全新的意义，而且会面临各种设计机遇和相关挑战...
分类：业界要闻 时间：2007/8/28 阅读：338 关键词：存储器
至今磁阻RAM已经上市好几个月了，现在用户对包含嵌入式MRAM的系统级SoC的要求也越来越高。将作为整个系统一部分的嵌入式MRAM集成进未来的微控制器单元(MCU)可以带来诸多好处。MRAM可以按字节访问存储器，因此在存储器划分方面具有很大的...
分类：新品快报 时间：2007/7/13 阅读：1300 关键词：存储器
随着集成电路制造工艺水平的提高，半导体芯片上可以集成更多的功能，为了让产品有别于竞争对手的产品特性，在ASIC上集成存储器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系统级芯片的可靠性。随着对嵌入式存储器需求的持续增长，其复杂性、密度...
分类：业界要闻 时间：2007/7/12 阅读：420 关键词：存储器
绪论 从用户数量和将要支持的服务种类来看，社会对先进的信息服务里，高速Internet接入被认为是理所当然的，语声和低速率数据业务不足以满足用户的要求。支持大量开支带宽的多媒体业务的需求，是用户向蜂窝系统和网络提出的新的挑战。...
设计应用 时间：2020/6/5 阅读：804
随着超大规模集成电路工艺的发展，人类已经进入了超深亚微米时代。先进的工艺使得人们能够把包括处理器、存储器、模拟电路、接口逻辑甚至射频电路集成到一个大规模的芯片上...
设计应用 时间：2017/6/22 阅读：3500
随着集成电路制造工艺水平的提高，半导体芯片上可以集成更多的功能，为了让产品有别于竞争对手的产品特性，在ASIC上集成存储器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系统级芯...
设计应用 时间：2016/7/14 阅读：979
1 引言 建立芯片模型是在早期进行芯片架构决策的有效方法，通过建模不仅可以对芯片的性能做出分析，还可以在硬件没有完成之前开发软件，不仅提高了产品成功率，而且缩短...
技术方案 时间：2014/8/21 阅读：1577
在传统的大规模ASIC和SoC设计中，芯片的物理空间大致可分为以下三部分： 1.用于新的定制逻辑 2.用于可复用逻辑（第三方IP或传统的内部IP） 3.用于嵌入式存储 ...
设计应用 时间：2013/8/13 阅读：2455
引言 近年来，消费者对电子产品的更高性能和更小尺寸的要求持续推动着SoC（系统级芯片）产品集成水平的提高，并促使其具有更多的功能和更好的性能。要继续推动这种无止...
技术方案 时间：2012/11/21 阅读：2522
1.引言 传统上 FPGA只能实现相对较小的逻辑电路，随着工艺技术的提高，FPGA的容量和性能也不断提高，FPGA（Field－Programmable Gate Array），即现场可编程门阵列，它是在PAL、GAL、CPLD等可编程器件的基础上进一步发展的产物。它是...
其它 时间：2011/9/2 阅读：1464
Catalyst新增了三个包含最宽选择范围的嵌入式存储器系列电压监控器件
Catalys新推出了三个系列的电压监控器件，它们包含业内最宽选择范围的嵌入式存储器。CAT130xx系列具有1-，2-，4-，8-或16-kbitMicrowire串行接口的嵌入式EEPROM。CAT140xx和CAT150xx系列则具有2-，4
基础电子 时间：2007/11/30 阅读：1633
德州仪器(TI)推出的TPS79918低压差(LDO)线性调节器为新的Intel StrataFlash嵌入式存储器(P30) 提供了所需性能。英特尔公司正从它的第三代180nm StrataFlash嵌入式存储器(J30)转向它的第四代130nm StrataFlash嵌入式存储器(P30)。这个从J3...
设计应用 时间：2007/11/29 阅读：1976
卓联半导体(Zarlink)日前扩展其DirectConnect系列嵌入式以太网交换芯片，推出一款新的高容量聚集和交换器件，可简化在有线(wired)、无线(wireless)和有线电视(cable)网络中使用的高密度媒体处理、数据平面和控制平台卡
基础电子 时间：2007/11/27 阅读：1354
