5.5G

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华为提出RAN智能代理理念,智慧照亮5.5G

华为推出了改变游戏规则的RAN智能代理。华为无线网络副总裁兼首席营销官赵直表示,RAN智能代理引入了一套电信基础模型、RAN数字孪生系统(RDTS)和智能计算能力,为5.5G智...

分类:名企新闻 时间:2024/4/25 阅读:285 关键词:华为

华为推进智能化,运营商迎来5.5G商用元年

华为已帮助运营商在全球20多个城市启动5.5G商用验证和测试。中东地区对5.5G发展已形成普遍共识,海湾合作委员会(GCC)六国均已完成5.5G 10Gbps速率验证以及RedCap、无源物...

分类:业界动态 时间:2024/2/28 阅读:297 关键词:华为5.5G

全球首个全系列5.5G产品解决方案发布

近日,在华为主办的2023全球移动宽带论坛期间,华为发布了全球首个全系列5.5G产品解决方案。据悉,该系列产品解决方案将通过宽带、多频、多天线、智能、绿色等方面的创新,...

分类:业界动态 时间:2023/10/13 阅读:557 关键词:5.5G

胡厚崑:努力推进5.5G工作,实现大规模应用

华为第十四届全球移动宽带论坛在迪拜召开,本届大会以“将5G-A带入现实”为主题,邀请全球移动网络运营商、垂直行业领导者以及生态合作伙伴齐聚一堂共创产业繁荣生态,共谋5...

分类:行业访谈 时间:2023/10/11 阅读:537 关键词:5.5G

华为宣布2024年推出面向商用的5.5G全套网络设备

华为董事、ICT产品与解决方案总裁杨超斌在2023 MWC上海展5G Advanced论坛上宣布,2024年,华为将会推出面向商用的5.5G全套网络设备。这也标志着ICT行业即将迈入5.5G时代。 ...

分类:业界动态 时间:2023/6/30 阅读:550 关键词:5.5G

千亿联接背后:万兆产业能为5.5G带来什么?

5G发展4年,领先的运营商已获得商业成功,并将走向更大的商业成功,随着R18标准的冻结,5.5G已经呼之欲出,将为移动网络带来新的突破和发展。 近日,华为分析师大会正式...

分类:业界动态 时间:2023/4/24 阅读:495 关键词:5.5G

MWC 23关键词(一)|5G、5.5G、卫星通信

近日,一年一度的全球科技行业盛会——2023世界移动通信大会(MWC23)在巴塞罗那正式开幕。这是疫情后全球移动生态首次大规模齐聚一堂。透过移动通信行业这一“风向标”,...

分类:业界动态 时间:2023/3/2 阅读:447 关键词:5G5.5G卫星通信

华为:5.5G是迈向智能世界的关键里程碑

2023 MWC巴塞罗那大会上,华为运营商李鹏在华为Day0论坛表示5G繁荣是智能世界的基石,5.5G是迈向智能世界的关键里程碑,并倡议电信行业立足GUIDE商业蓝图,加速迈向超宽、...

分类:业界动态 时间:2023/2/28 阅读:194 关键词:5.5G

奔跑的华为,奔跑的5.5G

从10月25日到28日的四天时间里,华为在泰国曼谷密集举办了两场大会“全球移动宽带论坛”和“全球超宽带高峰论坛”,这两场大会分别对应着无线接入市场和光网络等有线接入市...

分类:业界动态 时间:2022/11/3 阅读:759

华为汪涛:四项关键工作加速迈向5.5G

全球超宽带高峰论坛(UBBF2022)今日在曼谷举办。华为常务董事、ICT基础设施业务管理委员会主任汪涛发表了题为“迈向超宽带5.5G”的主题演讲,展望了2030年家庭、园区、工业...

分类:行业访谈 时间:2022/10/28 阅读:956

5.5G技术

MJD2955G的技术参数

产品型号:MJD2955G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):60集电极最大电流IC(Max)(A):10直流电流增益hFE最小值(dB):20直流电流增益hFE最大值(dB):100最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):2总功耗P

基础电子 时间:2007/4/18 阅读:1355

MJ2955G的技术参数

产品型号:MJ2955G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):60集电极最大电流IC(Max)(A):15直流电流增益hFE最小值(dB):15直流电流增益hFE最大值(dB):120最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):2.500总

基础电子 时间:2007/4/18 阅读:2426

TIP3055G的技术参数

产品型号:TIP3055G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):60集电极最大电流IC(Max)(A):15直流电流增益hFE最小值(dB):5直流电流增益hFE最大值(dB):-最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):2.500总功耗

基础电子 时间:2007/4/18 阅读:1798

TIP2955G的技术参数

产品型号:TIP2955G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):60集电极最大电流IC(Max)(A):15直流电流增益hFE最小值(dB):5直流电流增益hFE最大值(dB):-最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):2.500总功耗

基础电子 时间:2007/4/18 阅读:1662

2N5655G的技术参数

产品型号:2N5655G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):250集电极最大持续电流IC(Max)(A):0.500直流电流增益hFE最小值(dB):30直流电流增益hFE最大值(dB):250最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):

基础电子 时间:2007/4/18 阅读:1450

2N3055G的技术参数

产品型号:2N3055G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):60集电极最大持续电流IC(Max)(A):15直流电流增益hFE最小值(dB):20直流电流增益hFE最大值(dB):70最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):2.500

基础电子 时间:2007/4/18 阅读:1833

MPSA55G的技术参数

产品型号:MPSA55G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):60集电极最大电流Ic(max)(mA):500直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大值(dB):-最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):100封装

基础电子 时间:2007/4/18 阅读:1398

NTP2955G的技术参数

产品型号:NTP2955G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):196最大漏极电流Id(on)(A):12通道极性:P沟道封装/温度(℃):TO-220/-55~150描述:-60V,-12A功率MOSFET价

基础电子 时间:2007/4/18 阅读:1355

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