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三星HBM 4将采用混合键合

三星在韩国首尔举行的人工智能半导体论坛上透露，该公司计划在其HBM4中采用混合键合技术，以降低发热量并实现超宽内存接口。相比之下，据EBN报道，该公司的竞争对手SK海力...

分类：业界动态 时间：2025/5/15 阅读：349 关键词：三星HBM 4

三星HBM 4完成设计

三星电子已确认将通过 4NANO（纳米，十亿分之一米）代工半导体制造工艺试产“逻辑芯片”，该芯片是第六代高带宽存储器 (HBM4) 的大脑。在完成逻辑芯片的最终性能验证后，三...

分类：名企新闻 时间：2025/1/6 阅读：417 关键词：电池