美Spansion制造片每单元4位闪存芯片

类别:新闻资讯  出处:网络整理  发布于:2006-09-28 09:28:31 | 1448 次阅读

       据国外媒体报道,美国加州的闪存制造商Spansion公司9月25日宣布,已经生产出了全片每单元存储四位的闪存芯片。 
       Spansion公司表示,他们将采用这个技术在年底之前用90纳米工艺制造512M、1G、2G的闪存芯片,明年将采用65纳米的工艺生产1G、2G、4G、8G和16G芯片。 
       事实上,Spansion公司的这一制造技术来自以色列的Saifun公司。去年年底,Saifun公司正式向外界宣布已经成功研发出了每单位存储四位的闪存芯片,并将这一技术授权给了美国的Spansion公司和德国的英飞凌公司。 
       据Spansion公司和Saifun公司表示,通过每单位存储四位的技术,闪存的容量可以在同一尺寸的芯片上提高一倍,而且架构也比较简单,可以减少制造环节,从而降低成本。另外,通过软件纠错技术,可以限度地避免存储过程中的位错现象。

全年征稿 / 资讯合作

稿件以电子文档的形式交稿,欢迎大家砸稿过来哦!

联系邮箱:3342987809@qq.com

版权与免责声明

凡本网注明“出处:维库电子市场网”的所有作品,版权均属于维库电子市场网,转载请必须注明维库电子市场网,https://www.dzsc.com,违反者本网将追究相关法律责任。

本网转载并注明自其它出处的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品出处,并自负版权等法律责任。

如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。

热点排行

广告