ST/意法
STP7NK80ZFP
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
SW-REG/开关电源
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
STP7NK80ZFP场效应管MOSFET N TO-220FP 晶体管*性: N沟道 电流, Id连续: 5.2A 电压, Vds: 800V 在电阻RDS(上): 1.8ohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 3.75V 功耗, Pd: 30W 工作温度范围: -55°C到+150°C 封装类型: TO-220FP 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (18-Jun-2012) 功率, Pd: 30W 功耗: 30W 封装类型: TO-220FP 漏*电流, Id值: 5.2A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 800V 电压, Vgs: 3.75V 电流, Idm脉冲: 20.8A 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V: 1.8oh
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