IXTA3N60P
IXYS Corporation
制造商: IXYS 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 600 V Vgs-栅源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 3 A Rds On-漏源导通电阻: 2.9 Ohms 配置: Single Vgs th-栅源极阈值电压: 5.5 V Qg-栅极电荷: 9.8 nC 工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 70 W 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: D2PAK-2 封装: Tube 商标: IXYS 通道模式: Enhancement 下降时间: 22 ns 正向跨导 - 值: 2.2 S 工作温度: - 55 C 上升时间: 25 ns 系列: IXTA3N60 工厂包装数量: 50 商标名: PolarHV 典型关闭延迟时间: 58 ns 单位重量: 1.600 g
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