IR/国际整流器
IRF3205S
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
场效应???MOSFET N D2-PAK 55V 110A 晶体管*性: N沟道 电流, Id连续: 98A 电压, Vds: 55V 在电阻RDS(上) 8mohm: 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 4V 功耗, Pd: 150W 工作温度敏: -55°C 工作温度: 175??C 封装类型: TO-263 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) SMD标号: IRF3205S 功率, Pd: 150W 功耗: 150W 功耗(于1平方英寸PCB): 3.7W 外宽: 10.54mm 外部深度: 15.49mm 外*度/高度: 4.69mm 封装类型: D2-PAK 封装类型,其它: D2-PAK 工作温度范围: -55°C到+175°C 晶体管数: 1 温度@电流测量: 25°C 满功率温度: 25°C 漏*电流, Id值: 110A 热阻,结点至外壳A: 0.75°C/W 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 55V 电压, Vgs: 4V 电流, Idm脉冲: 390A 表面安装器件: SMD 阈值电压, Vgs th: 4V "
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