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NXP/恩智浦
BFG425W
硅(SI),硅(SI)
贴片型
属性值
BFG425WNPN 25 GHz wideband transistorSY*OL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNITVCBO collector-base voltage open emitter ? ? 10 VVCEO collector-emitter voltage open base ? ? 4.5 VIC collector current (DC) ? 25 30 mAPtot total power dissipation Ts ? 103 ?C ? ? 135 mWhFE DC current gain IC = 25 mA; VCE = 2 V; Tj = 25 ?CCre feedback capacitance IC = 0; VCB = 2 V; f = 1 MHz ? 95 ? fFfT transition frequency IC = 25 mA; VCE = 2 V; f = 2 GHz; Tamb = 25 ?C ? 25 ? GHzGmax maximum power gain IC = 25 mA; VCE = 2 V; f = 2 GHz; Tamb = 25 ?C ? 20 ? dBF noise figure IC = 2 mA; VCE = 2 V; f = 2 GHz; ?S = ?opt ? 1.2 ? dBCAUTIONFig.1 Simplified outline SOT343R
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