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NXP/恩智浦
BFG425W
硅(SI),硅(SI)
贴片型
属性值
企业名:汕头市程宇电子科技有限公司
类型:生产企业
电话:
手机:13670546826
联系人:刘新程
地址:广东汕头中国 广东 汕头市金平区 广东省汕头市汕樟路59号宝华大厦。
BFG425W
NPN 25 GHz wideband transistor
SY*OL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT
VCBO collector-base voltage open emitter ? ? 10 V
VCEO collector-emitter voltage open base ? ? 4.5 V
IC collector current (DC) ? 25 30 mA
Ptot total power dissipation Ts ? 103 ?C ? ? 135 mW
hFE DC current gain IC = 25 mA; VCE = 2 V; Tj = 25 ?C
Cre feedback capacitance IC = 0; VCB = 2 V; f = 1 MHz ? 95 ? fF
fT transition frequency IC = 25 mA; VCE = 2 V; f = 2 GHz; Tamb = 25 ?C ? 25 ? GHz
Gmax maximum power gain IC = 25 mA; VCE = 2 V; f = 2 GHz; Tamb = 25 ?C ? 20 ? dB
F noise figure IC = 2 mA; VCE = 2 V; f = 2 GHz; ?S = ?opt ? 1.2 ? dB
CAUTION
Fig.1 Simplified outline SOT343R
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司