现货供应B649/D669

  • 应用范围:

    高反压

  • 品牌/商标:

    国产

  • 型号/规格:

    B649/D669

  • 材料:

    硅(Si)

  • 封装形式:

    TO-126

  • 集电极耗散功率PCM:

    1

  • 击穿电压VCBO:

    180

  • 集电极允许电流ICM:

    1.5

我司现货供应三*管B649/D669,*,*销售,*产品,质量*,欢迎广大客户来电洽谈!三*管B649技术参数:PNP管,脚位:ECB,放大倍数:100-300功率:1W,电流:1.5A,电压:180V三*管D669技术参数:NPN管,脚位:ECB,放大倍数:100-300功率:1W,电流:1.5A,电压:180V"

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