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分立半导体晶体管 SI4925DDY-T1-GE3

分立半导体晶体管 SI4925DDY-T1-GE3
分立半导体晶体管 SI4925DDY-T1-GE3
  • 型号/规格:

    SI4925DDY-T1-GE3

  • 品牌/商标:

    Vishay(威世)

  • 封装形式:

    SOIC-8

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 数量:

    3000

金牌会员 第 7
  • 企业名:安吉达电子(深圳)有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-22955959-816
    0755-22955959-807

    手机:13310855027
    18025413582

    联系人:张小姐/陈先生

    QQ: QQ:2850823890QQ:2850823891

    邮箱:2850823891@qq.com

    地址:广东深圳深圳市福田区深南中路3007号国际科技大厦1601-1602室

商品信息



Vishay 的产品组合是一个具有无与伦比的分立半导体(二极管、MOSFET 和光电元件)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。 这些组件几乎适用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天和医疗市场中所有类型的工业电子器件和设备。 Vishay 很荣幸成为 Digi-Key 的主要合作伙伴。

制造商          

Vishay Siliconix

制造商零件编号      

SI4925DDY-T1-GE3

描述  

MOSFET 2P-CH 30V 8A

8-SOIC

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况    无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级 (MSL)   1(无限)

原厂标准交货期       22 周

一般信息

数据列表       SI4925DDY;

标准包装      2,500

包装   标准卷带  

零件状态       在售

类别   分立半导体产品

产品族          晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

系列   TrenchFET®

规格

FET 类型      2 个 P 沟道(双)

FET 功能      标准

漏源电压(Vdss)   30V

电流

- 连续漏极(Id)(25°C 时)        8A

不同

Id,Vgs 时的 Rds On(值)   29 毫欧 @ 7.3A,10V

不同

Id 时的 Vgs(th)(值)        3V @ 250μA

不同

Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值)       50nC @ 10V

不同

Vds 时的输入电容(Ciss)(值)       1350pF @ 15V

功率

- 值         5W

工作温度       -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型       表面贴装

封装/外壳     8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装       8-SO

图像和媒体

产品相片       8-SOIC


SI4925DDY-T1-GE3   SI4925DDY-T1-GE3  

联系方式

企业名:安吉达电子(深圳)有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-22955959-816
0755-22955959-807

手机:13310855027
18025413582

联系人:张小姐/陈先生

QQ: QQ:2850823890QQ:2850823891

邮箱:2850823891@qq.com

地址:广东深圳深圳市福田区深南中路3007号国际科技大厦1601-1602室

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