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分立半导体晶体管IRFB3607PBF

分立半导体晶体管IRFB3607PBF
分立半导体晶体管IRFB3607PBF
金牌会员 第 7
  • 企业名:安吉达电子(深圳)有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-22955959-816
    0755-22955959-807

    手机:13310855027
    18025413582

    联系人:张小姐/陈先生

    QQ: QQ:2850823890QQ:2850823891

    邮箱:2850823891@qq.com

    地址:广东深圳深圳市福田区深南中路3007号国际科技大厦1601-1602室

商品信息



Siemens Semiconductors 在 1999 年 4 月 1 日更名为 Infineon Technologies。 这是一家充满活力和动力的公司,在微电子领域颇有建树。

Infineon 是的设计商、制造商和供应商,提供广泛的适用于各种微电子应用的半导体产品。 Infineon 的产品组合由逻辑产品组成,包括数字、混合信号和模拟集成电路以及分立半导体产品。

制造商          Infineon Technologies

制造商零件编号       IRFB3607PBF

描述   MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况    无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级 (MSL)   1(无限)

原厂标准交货期       26 周

详细描述       通孔 N 沟道 pval(2068) 80A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB

一般信息

数据列表       IRF(B,S,SL)3607PBF;

标准包装      1,000

包装   管件  

零件状态       在售

类别   分立半导体产品

产品族          晶体管 - FET,MOSFET - 单

系列   HEXFET®

规格

FET 类型      N 沟道

技术   MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)   75V

电流

- 连续漏极(Id)(25°C 时)        80A(Tc)

驱动电压( Rds On, Rds On)        10V

不同

Id,Vgs 时的 Rds On(值)   9 毫欧

@ 46A,10V

不同

Id 时的 Vgs(th)(值)        4V @ 100μA

不同

Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值)       84nC @ 10V

Vgs(值)        ±20V

不同

Vds 时的输入电容(Ciss)(值)       3070pF @ 50V

FET 功能      -

功率耗散(值) 140W(Tc)

工作温度       -55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型       通孔

供应商器件封装       TO-220AB

封装/外壳     TO-220-3

文档

其它有关文件 Part Number Guide

PCN 封装     Barcode Label Update 24/Feb/2017

Mult Device

Standard Label Chg 29/Sep/2017

Package Drawing

Update 19/Aug/2015

Packing Material

Update 16/Sep/2016

PCN 组件/产地       Mosfet Backend Wafer

Processing 23/Oct/2013

Qualification Wafer

Source 14/Mar/2014

TO220/247 Fab Site

Transfer 19/May/2016

图像和媒体

产品相片       TO-220AB PKG

产品培训模块 High Voltage Integrated

Circuits (HVIC Gate Drivers)

特色产品       Data Processing Systems

联系方式

企业名:安吉达电子(深圳)有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-22955959-816
0755-22955959-807

手机:13310855027
18025413582

联系人:张小姐/陈先生

QQ: QQ:2850823890QQ:2850823891

邮箱:2850823891@qq.com

地址:广东深圳深圳市福田区深南中路3007号国际科技大厦1601-1602室

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