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K4B4G0846Q-HYK0原装进口K4B4G0846Q-HYK0规格书PDF

供应K4B4G0846Q-HYK0原装进口K4B4G0846Q-HYK0规格书PDF
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  • 型号/规格:

    K4B4G0846Q-HYK0

  • 品牌/商标:

    SAMSUNG

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普通会员
  • 企业名:深圳市海天鸿电子科技有限公司

    类型:经销商

    电话: 0755-82552857

    手机:15013723799

    联系人:彭小姐

    QQ: QQ:2908306112QQ:2091847102

    邮箱:haitianhongsales6@163.com

    地址:广东深圳深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号

商品信息 更新时间:2014-07-08

JEDEC标准1.5V±0.075V电源 
•VDDQ=1.5V±0.075V 
•400 MHz为FCK800Mb/sec/pin,533MHz的FCK的1066Mb/sec/pin, 
667 FCK的1333Mb/sec/pin 
•8银行 
•发表CAS 
•可编程的CAS延迟时间(CAS号发布):6,7,8,9,10 
•可编程添加剂延时:0,CL-2或CL-1时钟 
•可编程CAS写延时(CWL)=5(DDR3-800),6 
(DDR3-1066)和7(DDR3-1333) 
•8-bit预取 
•突发长度:8(交错,没有任何限制,顺序与启动 
“000”只),4 TCCD=4,不允许无缝解决 
读或[使用A12或MRS重复在飞]写 
•双向差分数据选通 
•内部(个体经营)校准:通过ZQ脚内部自校准 
(RZQ:240欧姆±1%) 
•片上终端使用ODT引脚 
•平均更新周期7.8us在比T案例85℃,3.9us在较低 
85°C<T案例<95°C 
•异步复位 
•包装:78 BALLS FBGA - x4/x8 
•所有无铅产品符合RoHS指令为 
•所有的产品都不含卤素 
 该DDP4GB DDR3 SDRAM B-模是作为一个128Mbit的×4的I / OS X 
8banks,64Mbit的×8的I / OS X8banks。这种同步旋下实现了高 
双高速传输速率高达搬运工错过1333Mb/sec/pin(DDR3-
1333)用于一般应用程序。 
 该芯片的设计符合以下关键的DDR3 SDRAM的功能,例如发布暨中国科学院可编程CWL,内部(自我)校准,片上终端使用ODT引脚和异步复位。 
 所有的控制和地址输入与对外部提供的差分时钟同步。输入被锁在差分时钟(CK上升和CK下降)的交叉点。所有的I / O是与同步 
对双向选通(DQS和DQS)在源同步的方式。地址总线用于传送行,列和行地址 
在比赛中/ CAS复用样式信息。 DDR3的操作拧开 
与坚果1.5V±0.075V±0.075V1.5V电源和VDDQ。 
4GB的DDR3-B可在模具拧开78ball FBGAs(x4/x8)。 
注:1,功能描述和时序规范包括 
 在这个数据表是操作的DLL启用模式。

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