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半导体产品 SIHG70N60EF-GE3 MOSFET

半导体产品  SIHG70N60EF-GE3  MOSFET
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    类型:贸易/代理/分销

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产品分类
商品信息 更新时间:2018-05-31

SIHG70N60EF-GE3介绍:

描述 MOSFET N-CH 600V 70A TO-247AC

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)

详细描述 通孔 N 沟道 600V 70A(Tc) 520W(Tc) TO-247AC

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商 Vishay Siliconix

系列 -

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 70A(Tc)

驱动电压( Rds On, Rds On) 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 380nC @ 10V

Vgs(值) ±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 7500pF @ 100V

FET 功能 -

功率耗散(值) 520W(Tc)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 38 毫欧 @ 35A,10V

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-247AC

封装/外壳 TO-247-3

安富利(深圳)商贸有限公司介绍:


公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、

台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、

摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel)、安捷伦;


安富利(深圳)商贸有限公司,全球的配单。一手货源!价格优势!

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为了改善前述单一MOSFET开关造成讯号失真的缺点,于是使用一个PMOS加上一个NMOS的CMOS开关成为目前普遍的做法。CMOS开关将PMOS与NMOS的源极与漏极分别连接在一起,而基极的接法则和NMOS与PMOS的传统接法相同。




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