IPI072N10N3GXKSA1介绍：

描述 MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3

详细描述 通孔 N 沟道 100V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 OptiMOS™

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 6V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 7.2 毫欧 @ 80A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 3.5V @ 90μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 68nC @ 10V

Vgs（值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 4910pF @ 50V

FET 功能 -

功率耗散（值） 150W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 PG-TO262-3

封装/外壳 TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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MOSFET在概念上属于“绝缘栅极场效晶体管”（Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET），而IGFET的栅极绝缘层有可能是其他物质而非MOSFET使用的氧化层。有些人在提到拥有多晶硅栅极的场效晶体管元件时比较喜欢用IGFET，但是这些IGFET多半指的是MOSFET。

 

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