FAIRCHILD FSC
FQA11N90C
TO3P
65600
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企业名:湖人半导体(深圳)有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话:
0755-82578272
0755-82577852
手机:16670529611
13302942150
联系人:王小姐/雷小姐
邮箱:hurenbandaoti@chinaxilinx.com
地址:广东深圳深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1002号赛格广场6010A
FQA11N90C产品概述
该N沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)及照明灯电子镇流器。
FQA11N90C产品特性
11A, 900V, RDS(on) = 1.1Ω(值)@VGS = 10 V, ID = 5.5A栅极电荷低(典型值:60nC)
低 Crss(典型值23pF)
100% 经过雪崩击穿测试
符合 RoHS 标准
FQA11N90C产品值
FQA11N90C产品参数
数据列表FQA11N90C_F109;标准包装30包装管件类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单系列QFET®规格FET 类型N 沟道技术MOSFET(金属氧化物)漏源极电压(Vdss)900V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)11A(Tc)驱动电压( Rds On, Rds On)10V不同 Id 时的 Vgs(th)(值)5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值)80nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值)3290pF @ 25VVgs(值)±30VFET 功能-功率耗散(值)300W(Tc)不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值)1.1 欧姆 @ 5.5A,10V工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型通孔供应商器件封装TO-3P封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3
企业名:湖人半导体(深圳)有限公司
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