高频DC- DC转换器

Lead-Free

IRFP90N20D

产品好处

低栅极 - 漏极电荷降低开关损耗

充分界定电容含有效的COSS为简化设计， （见应用程序。注AN1001 ）

充分界定雪崩电压和电流

IRFP90N20D

产品原理图

IRFP90N20D

产品一般信息

数据列表IRFP90N20DPbF;标准包装25包装散装类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列HEXFET®其它名称*IRFP90N20DPBF 规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）200V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）94A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）270nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）6040pF @ 25VVgs（值）±30VFET 功能-功率耗散（值）580W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）23 毫欧 @ 56A，10V工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-247AC封装/外壳TO-247-3

企业名：湖人半导体（深圳）有限公司

类型：贸易/代理/分销

电话： 0755-82578272
0755-82577852

手机：16670529611
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联系人：王小姐/雷小姐

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