FDH055N15A 产品说明

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench®工艺生产，

这一先进工艺是专为限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。

FDH055N15A 产品特性

RDS(on) = 4.8mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 120A

快速开关速度

低栅极电荷，QG = 92nC（典型值）

高性能沟道技术可实现极低的 RDS(on)

高功率和高电流处理能力

符合 RoHS 标准

FDH055N15A 产品应用

用于ATX/服务器/电信/PSU的同步整流

电池保护电路

电机驱动和不间断电源

微型太阳能逆变器

企业名：湖人半导体（深圳）有限公司

类型：贸易/代理/分销

电话： 0755-82578272
0755-82577852

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联系人：王小姐/雷小姐

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