该AO3419采用先进的沟槽技术，提供的研发DS （ ON），低栅极电荷和操作门电压低至2.5V 。这个装置是适合于用作负荷开关应用。

AO3419特性

VDS                                       -20V

ID (at VGS=-10V)                    -3.5A

RDS(ON) (at VGS= -10V)        < 85mΩ

RDS(ON) (at VGS= -4.5V)       < 102mΩ

RDS(ON) (at VGS= -2.5V)       < 140mΩ

典型的ESD保护

AO3419规格

FET 类型 MOSFET P 通道

FET 功能 逻辑电平栅极，2.5V 驱动

漏源极电压（Vdss） 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.5A（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 85 毫欧 @ 3.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 1.4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 4.4nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 400pF @ 10V

功率 - 值 1.4W

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

封装 SOT-23-3L

企业名：湖人半导体（深圳）有限公司

类型：贸易/代理/分销

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