TPS7A3701DRVR 系列线性低压降 (LDO) 稳压器在一个电压随耦器配置中使用一个 N 沟道金属氧化物半导体 (NMOS) 导通元件。该拓扑结构对输出电容值和等效串联电阻 (ESR) 的敏感度相对较低，从而实现多种负载配置。负载瞬态响应出色，即使与 1μF 小型陶瓷输出电容搭配工作时也是如此。NMOS 拓扑结构也可实现极低压降。

TPS7A3701DRVR 系列使用一个先进的双极互补金属氧化物半导体 (BiCMOS) 工艺，可在传送极低压降电压和低接地引脚电流的同时产生高精度。TPS7A3701DRVR未使能状态下的电流消耗小于 20nA，非常适合便携式 应用。这些器件受到热关断和折返电流限制的保护。产品特性与 1μF 或更大的陶瓷输出电容搭配工作时保持稳定输入电压范围：2.2V 至 5.5V超低压降电压：1A 时的电压为 200mV1A 时的电压为 200mV出色的负载瞬态响应 - 即使与仅为 1μF 的输出电容搭配使用也依旧出色NMOS 拓扑结构可提供低反向泄漏电流出色的精度：0.23% 标称准确度整个线路、负载和温度范围内的总精度为 1%0.23% 标称准确度整个线路、负载和温度范围内的总精度为 1%关断模式下的 IQ 典型值小于 20nA用于故障保护的热关断和电流限制应用针对数字信号处理器 (DSP)，现场可编程栅极阵列 (FPGA)，特定用途集成电路 (ASIC) 和微处理器的负载点调节针对开关电源的后置调节便携式和电池供电类设备

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