32 V
1.2 A
- 2.9 V
16 W
企业名:深圳市宇集芯电子有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话:
0755-28708773
0755-2870-8773
手机:13430772257
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联系人:肖先生 (可开13%增票)/程小姐【只做原装正品】
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邮箱:xiaozheng1608@163.com
地址:广东深圳深圳市福田区华强北赛格科技园4栋中座10楼10A22室
美国渠道,进口原装现货,价格合理!
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
制造商: Qorvo
RoHS: 符合RoHS 详细信息
晶体管类型: HEMT
技术: GaN SiC
增益: 19 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 32 V
Id-连续漏极电流: 1.2 A
漏极/栅极电压: - 2.9 V
Pd-功率耗散: 16 W
安装风格: SMD/SMT
封装: Tray
商标: Qorvo
工作频率: 3. GHz
产品: GaN RF Power Transistors
系列: T1G
工厂包装数量: 100
类型: GaN SiC HEMT
零件号别名: 1092157
企业名:深圳市宇集芯电子有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话:
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手机:13430772257
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联系人:肖先生 (可开13%增票)/程小姐【只做原装正品】
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