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T1G6001032-SM射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

供应T1G6001032-SM射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
供应T1G6001032-SM射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
  • Vds-漏源极击穿电压:

    32 V

  • Id-连续漏极电流:

    1.2 A

  • 漏极/栅极电压:

    - 2.9 V

  • Pd-功率耗散:

    16 W

VIP会员 第 9
  • 企业名:深圳市宇集芯电子有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-28708773
    0755-2870-8773

    手机:13430772257
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    联系人:肖先生 (可开13%增票)/程小姐【只做原装正品】

    QQ: QQ:1157099927QQ:2039672975

    微信:

    邮箱:xiaozheng1608@163.com

    地址:广东深圳深圳市福田区华强北赛格科技园4栋中座10楼10A22室

产品分类
商品信息

美国渠道,进口原装现货,价格合理!

产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
制造商: Qorvo
RoHS: 符合RoHS 详细信息
晶体管类型: HEMT
技术: GaN SiC
增益: 19 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 32 V
Id-连续漏极电流: 1.2 A
漏极/栅极电压: - 2.9 V
Pd-功率耗散: 16 W
安装风格: SMD/SMT
封装: Tray
商标: Qorvo
工作频率: 3. GHz
产品: GaN RF Power Transistors
系列: T1G
工厂包装数量: 100
类型: GaN SiC HEMT
零件号别名: 1092157


联系方式

企业名:深圳市宇集芯电子有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-28708773
0755-2870-8773

手机:13430772257
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联系人:肖先生 (可开13%增票)/程小姐【只做原装正品】

QQ: QQ:1157099927QQ:2039672975

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地址:广东深圳深圳市福田区华强北赛格科技园4栋中座10楼10A22室

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