MGA-13116高增益，高线性度，非常低噪声放大器数据表描述Avago的MGA- 13116是一个两阶段的，易于使用的GaAs MMIC低噪声放大器（ LNA ） 。 LNA具有具有良好的输入回波损耗和高线性度低噪声通过使用Avago Technologies公司propri-的实现etary 0.25PmGaAs增强模式pHEMT工艺。所需的输入，输出和匹配级间两LNA之间。它是专为400 MHz之间的利用，以1.5千兆赫。为了获得性能，特点x运行在400MHz频率优化 - 1.5 GHz的x非常低的噪声音响gurex高增益x高线性度性能x优良的隔离x的GaAs E - pHEMT技术[1]x低成本的小型封装尺寸： 4.0× 4.0× 0.85毫米3特定网络阳离子900兆赫; Q1 ： 5 V 55 mA（一般） Q2 ： 5 V 112 mA（一般）xxxxx0.51分贝噪声系数38分贝增益52分贝RFoutQ1到RFinQ2隔离41.4 dBm的输出IP3在1分贝增益压缩23.3 dBm的输出功率引脚配置和封装标识4.0× 4.0× 0.85毫米316引脚QFN13141516安华高13116YYWWXXXX12111098765GND1234针2针3引脚10引脚11引脚13PIN码16VBIASRFinQ1RFoutQ2RFoutQ2RFinQ2RFoutQ1应用x低噪声放大器，用于蜂窝基础设施，包括GSM，CDMA和W-CDMA 。x其他非常低噪声的应用。所有其它照片NC–没有连接顶视图底部视图简化的原理图Vdd1C9R3C8C10R4R2C7L3C616115注意：包装标识提供了方向和identi网络阳离子“ 13116 ” =设备型号“ YYWW ” =工作周和制造年份“XXXX” =批号Vdd2C5C4R114 131211Q21098注意：遵守注意事项处理静电敏感设备。ESD机型号= 90 VESD人体模型= 300 V请参考Avago的应用笔记A004R ：静电放电，危害及防治。C3L1RFIN C12 Q1bias34567Q1L2C2RFOUT注：增强模式技术，采用正栅极偏置，从而消除了与相关联的负栅极电压的需要传统的耗尽型器件

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