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晶体管：IXTH6N150

供应晶体管：IXTH6N150

供应晶体管：IXTH6N150

型号/规格：
IXTH6N150
品牌/商标：
IXYS
封装形式：
TO-247-3
环保类别：
无铅环保型
安装方式：
直插式
包装方式：
管件
通道数量：
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压：
500 V
Id-连续漏极电流：
6 A
Rds On-漏源导通电阻：
3.5 Ohms
PDF资料：
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金牌会员第 7 年

企业名：中杰盛科技有限公司

类型：

电话： 0755-22968359

手机：13530907567

联系人：朱先生张小姐周先生

QQ：

微信：

邮箱：1125805706@qq.com

地址：广东深圳柜台都会B座15，深圳市龙岗区龙诚街道五联社区规划路25号202

产品分类

集成电路(IC)(183)
∟ 逻辑IC(9)∟ 射频IC(14)∟ 时钟IC(2)∟ 其他IC(152)∟ 处理器MPU(6)
电源IC(121)
∟ DC-DC(3)∟ LED驱动IC(24)∟ 稳压IC(59)∟ 其他电源IC(35)
半导体存储器(199)
∟ EEPROM（电可擦除可编程ROM）(27)∟ RAM（随机存取存储器）(161)∟ 双集型RAM(2)∟ Flash Memory（闪存/快闪存储器）(9)
二极管(42)
∟ 贴片/片式/SMD二极管(1)∟ 整流二极管(15)∟ 稳压二极管(2)∟ 开关二极管(1)∟ 桥堆/整流桥/桥式整流器(2)∟ 变容二极管(1)∟ 瞬态(变)抑制二极管(3)∟ 肖特基二极管(7)∟ 双基极二极管(1)∟ PIN二极管(1)∟ 其他二极管(8)
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新品上架

商品信息

公司优势供应：IXTH6N150：IXTH6N150

制造商: IXYS

产品种类: MOSFET
RoHS: 环保
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 6 A
Rds On-漏源导通电阻: 3.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V
Qg-栅极电荷: 67 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 540 W
通道模式: Enhancement
系列: IXTH6N150
商标: IXYS
配置: Single
下降时间: 38 ns
正向跨导 - 小值: 6.5 mS
产品: Power MOSFETs
产品类型: MOSFET
上升时间: 20 ns
包装数量：30
子类别: MOSFETs
类型: High Voltage Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 50 ns
典型接通延迟时间: 22 ns
单位重量: 6 g

联系方式

企业名：中杰盛科技有限公司

类型：

电话： 0755-22968359

手机：13530907567

联系人：朱先生张小姐周先生

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邮箱：1125805706@qq.com

地址：广东深圳柜台都会B座15，深圳市龙岗区龙诚街道五联社区规划路25号202

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