制造商: Broadcom Limited
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 环保
晶体管类型: EpHEMT
技术: GaAs
工作频率: 2 GHz
增益: 14.8 dB
Vds-漏源极击穿电压: 7 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 5 V to 1 V
Id-连续漏极电流: 1 A
大漏极/栅极电压: - 5 V to + 1 V
小工作温度: - 65 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 3 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: LPCC-8
商标: Broadcom / Avago
配置: Single Dual Source
正向跨导 - 小值: 2178 mmho
NF—噪声系数: 1.4 dB
P1dB - 压缩点: 30 dBm
产品: RF JFET Transistors
产品类型: RF JFET Transistors
包装数量：3000
子类别: Transistors
类型: GaAs EpHEMT
公司优势供应：ATF-511P8-TR1

ATF-501P8-TR1
ATF-50189-TR1
ATF-58143-TR2G
ATF-34143-TR2G
ATF-331M4-TR2
VMMK-1225-TR1G
ATF-33143-TR2G

企业名：中杰盛科技有限公司

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