FGAF20N60SMD介绍：

描述 IGBT 600V 40A 62.5W TO-3PF

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 44 周

详细描述 IGBT Field Stop 600V 40A 75W Through Hole TO-3PF

类别 分立半导体产品

晶体管 - UGBT，MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 -

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

IGBT 类型 场截止

电压 - 集射极击穿（最大值） 600V

电流 - 集电极（Ic）（最大值） 40A

脉冲电流 - 集电极 (Icm) 60A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 1.7V @ 15V，20A

功率 - 最大值 75W

开关能量 452μJ（开），141μJ（关）

输入类型 标准

栅极电荷 64nC

25°C 时 Td（开/关）值 12ns/91ns

测试条件 400V，20A，10 欧姆，15V

反向恢复时间（trr） 26.7ns

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 通孔

封装/外壳 SC-94

供应商器件封装 TO-3PF

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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晶体管在电路最常用的用途应该是属于信号放大这一方面，其次是阻抗匹配、信号转换等，晶体管在电路中是个很重要的元件，许多精密的组件主要都是由晶体管制成的。

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