TN2106K1-G介绍：

描述 MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3

制造商标准提前期 8 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 60V 280mA（Tj） 360mW（Tc） TO-236AB（SOT23）

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Microchip Technology

系列 -

包装    带卷（TR） 

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 280mA（Tj）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 2.5 欧姆 @ 500mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2V @ 1mA

Vgs（值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 50pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（值） 360mW（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 TO-236AB（SOT23）

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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MOSFET依照其"通道"(工作载流子)的极性不同，可分为"N型"与"P型" 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。

金氧半场效晶体管里的氧化层位于其沟道上方，依照其操作电压的不同，这层氧化物的厚度仅有数十至数百埃（Å）不等，通常材料是二氧化硅（SiO2），不过有些新的制程已经可以使用如氮氧化硅（silicon oxynitride, SiON）做为氧化层之用。

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