Digi-Key 零件编号 SI5475DC-T1-E3-N
制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
SI5475DC-T1-E3
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 停產
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.5A（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 1.8V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 450mV @ 1mA（）
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 29nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） -
Vgs（值） ±8V
FET 功能 -
功率耗散（值） 1.3W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 31 毫欧 @ 5.5A，4.5V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 1206-8 ChipFET™
封装/外壳 8-SMD，扁平引线
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 然而一利必有一弊，

 1、数字电路与模拟电路的潜在矛盾

    如果模拟电路（射频）和数字电路（微控制器）单独工作可能各自工作良好，但是一旦将两者放在同一块电路板上，使用同一个电源供电一起工作，整个系统很可能就会不稳定。这主要是因为数字信号频繁的在地和正电源（大小3V）之间摆动，而且周期特别短，常常是ns级的。由于较大的振幅和较小的切换时间，使得这些数字信号包含大量的且独立于切换频率的高频成分。而在模拟部分，从天线调谐回路传到无线设备接收部分的信号一般小于1μV。因此数字信号与射频信号之间的差别将达到10-6（120dB）。显然，如果数字信号与射频信号不能很好的分离，微弱的射频信号可能遭到破坏，这样一来，无线设备工作性能就会恶化，甚至完全不能工作。

    2、RF电路和数字电路做在同块PCB上的常见问题

在大量的采购低价标准品，应付大另外一方面，众所周知的是，富士康集团和三星电子是一对夙敌。富士康和其他台湾电子产业担心，三星电子在各种原材料、零部件和消费电子领域的无限扩张，正在让台湾科技行业无路可走，此前郭台铭也表示，要联合台湾地区和日本的消费电子公司，共同阻止三星电子的进一步扩张出货量的同时，供应链猜测小米一来没有了更多的精力来为全面屏手机做系统适配与服务，二来红米系列手机一般都采用联发科的芯片，而联发科的芯片是什么时候才支持全面屏大家都知道。同时全面屏显示模组初期的成本上升，对于只有“性价比”的小米来说，如果强推全面屏手机也会让其采购策略与思维十分混乱，破坏其刚刚平息的供应链风波。

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