型号：MT40A256M16GE-083E:B

品牌：MICRON镁光

类型：原装现货           库存：充足

封装：TBGA96           批号：new+ROHS

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描述：SDRAM-DDR4-存储器-IC-4Gb-（256M-x-16）-并联-1.2GHz-96-FBGA（9x14）

          DDR4相比DDR3的区别有三点：16bit预取机制（DDR3为8bit），同样内核频率下理论速度是DDR3的两倍；更可靠的传输规范，数据可靠性进一步提升；工作电压降为1.2V，更节能。

DDR4内存的标准规范仍未终定夺。三星这条样品属于UDIMM类型，容量为2GB，运行电压只有1.2V，工作频率为2133MHz，而且凭借新的电路架构可以达到3200MHz。相比之下，DDR3内存的标准频率仅为1600MHz，运行电压一般为1.5V，节能版也有1.35V。仅此一点，DDR4内存就可以节能多40%。根据此前的规划，DDR4内存频率有可能高达4266MHz，电压则有可能降至1.1V乃至1.05V。三星表示，这条DDR4内存使用了曾出现在高端显存颗粒上的“PseudoOpenDrain”(虚拟开漏极)技术，在读取、写入数据的时候漏电率只有DDR3内存的一半。三星称，2010年12月底已经向一家控制器制造商提供了这种DDR4内存条的样品进行测试，并计划与多家内存厂商密切合作，帮助JEDEC组织在2011年下半年完成DDR4标准规范的制定工作，预计2012年开始投入商用。

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