K9F4G08UOD-SCBOddr1笔记本内存主图

K9F4G08UOD-SCBOddr1笔记本内存参数

制造商IC编号K9F4G08UOD-SCBO

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码512MX8 NAND SLC

脚位/封装TSOP

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.7v-3.6v

温度规格0°C to +85°C

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

K9F4G08UOD-SCBOddr1笔记本内存相关信息

作为常见的系统内存，DRAM 具有高容量、大带宽、低功耗、短延时、低成本等特点，广泛用于 PC、手机、服务器等领域，是集成电路产业产值占比的单一芯片品类。而 FLASH 具有寿命长、体积小、功耗低、非易失性等特点和优势，广泛应用于消费电子、移动通信、网络通信、个人电脑、服务器等领域，主要用于代码存储和数据存储等，是近年来发展较快的存储器芯片产品。 在不少卖方研报中，DRAM 被看作“国之重器”，其重要性不言而喻。然而，作为第一大 DRAM 消费市场，中国大陆却几乎没有自主产能。以 2018 年为例，根据智研咨询统计，中国集成电路进口额达到 3120 亿美元，其中存储芯片为 1230 亿美元（同比增长 1188.99%），占集成电路进口总额的 39%。 值得注意的是，受智能手机内存提升、大规模建设数据中心、物联网快速发展、汽车电子等下游需求的带动，2016 年第二季度开始，存储器价格一路飙升，也让存储器在 2017 年成为集成电路细分领域。据 WSTS 数据，2017 年全球存储器市场规模达到 1240 亿美元，同比增长 61.5%，市场份额为 30.1%。

不过，今年以来，受库存过高等因素影响，DRAM 价格跌跌不休。根据集邦咨询半导体研究中心调查显示，2019 年第一季度，DRAM 合约价跌幅持续扩大，整体均价已下跌逾 20%；第二季整季跌幅逼近 25%；该机构近期正式下修第三季 DRAM 价格展望，跌幅由原先预估的 10%，扩大至 10%-15%。 价格下跌，令厂商态度保守，纷纷削减资本开支。集邦咨询指出，2019 年 DRAM 产业用于生产的资本支出总金额约为 180 亿美元，较去年缩减约 10%，为近年来保守的投资水位。在 DRAM 寡头市场中，由于没有新进竞争者的威胁，各供应商选择透过调整产出，来避免削价竞争。

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