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SI2312CDS-T1-GE3 二三极管 威士

供应SI2312CDS-T1-GE3 二三极管 威士
供应SI2312CDS-T1-GE3 二三极管 威士
  • 型号/规格:

    SI2312CDS-T1-GE3

  • 品牌/商标:

    Vishay

  • 封装形式:

    SOT-23

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

金牌会员 第 5
  • 企业名:深圳市福启达科技有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-83271555

    手机:13699832998

    联系人:曾先生

    QQ: QQ:1051667472

    微信:

    邮箱:ZYS668@163.com

    地址:广东深圳深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦1305室

商品信息 更新时间:2023-09-19

深圳市福启达科技有限公司是一家zhuan业半导体IC及分立器件的民营高科技企业。公司主营电子元器件-半导体电子管、晶体管、贴片三极管、直插三极管、肖特基二极管、贴片二极管、直插二极管、MOSFET场效应管、集成电路IC、保险丝。可按照客户特殊要求订做,提供电子元器件配单BOM单配套服务!产品通过ISO9001:2000及ISO14001和SGSren证。产品广泛应用于数码产品-通讯产品-家用电器-玩具-节能灯-新能源等多个领域。公司本着始终满足客户需求,不懈追求客户满意的服务宗旨,积极倡导“开拓 创新 诚信 共赢”的企业发展理念。以诚信铸就品牌,以科技成就未来,以创新成就发展,努力为客户创造价值。使得产品能够满足各层次产品市场需求。当您选择了我们,就是选择了可靠诚信的供应商。客户的需求就是我们的追求,我们将通过不断的努力,为更多的客户提供更好的产品和服务,与您携手共创美好未来!

供应SI2312CDS-T1-GE3 二三极管 威士 产品属性

制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 6 A
Rds On-漏源导通电阻: 31.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, %2B 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 8.8 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 2.1 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
系列: SI2
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 8 ns
高度: 1.45 mm
长度: 2.9 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 17 ns
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 31 ns
典型接通延迟时间: 8 ns
宽度: 1.6 mm
零件号别名: SI2312CDS-T1-BE3 SI2312CDS-GE3 SI7621DN-T1-GE3
单位重量: 8 mg

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联系方式

企业名:深圳市福启达科技有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-83271555

手机:13699832998

联系人:曾先生

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