FET 类型：N 沟道

技术MOSFET：（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：31A（Ta），100A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On）：3V，8V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：2.4 毫欧 @ 25A，8V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：1.4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：19nC @ 4.5V

Vgs（值）：+10V，-8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：3100pF @ 12.5V

FET 功能-功率耗散（值）：3.1W（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：8-VSON-CLIP（5x6）

封装/外壳：8-PowerTDFN

特征：

针对5 V栅极驱动进行了优化

超低Q g和Q gd

低热阻

雪崩评级

无铅端子电镀

符合RoHS标准

SON 5毫米×6毫米塑料封装

这款25V，1.9mΩ，5mm×6mm SON NexFET™功率MOSFET的设计旨在限度地降低功率转换损耗，并针对5 V栅极驱动应用进行了优化。

企业名：深圳市芯距离科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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