特征：

高带宽数据通道（高达500 MHz） （1）

器件上电或掉电时的5 V容差I / O.

工作范围内的低和平导通电阻（r on）特性（r on  =4Ω典型值）

数据I / O端口上的轨到轨切换

采用3.3 V V CC的 0至5V开关

采用2.5 V V CC的 0至3.3 V开关

具有近零传播延迟的双向数据流

低输入/输出电容可限度地减少负载和信号失真（C io（OFF）  =典型值3.5 pF）

快速开关频率（f OE = 20 MHz Max）

数据和控制输入提供下冲钳位二极管

低功耗（I CC = 0.6 mA典型值）

V CC工作范围为2.3 V至3.6 V.

数据I / O支持0至5V信号电平（0.8V，1.2V，1.5V，1.8V，2.5V，3.3V，5V）

控制输入可由TTL或5 V和3.3 V CMOS输出驱动

我关闭支持部分省电模式操作

闩锁性能超过每JESD 78，Class II 100 mA

根据JESD测试的ESD性能22

2000-V人体模型（A114-B，II类）

1000 V充电设备型号（C101）

支持数字和模拟应用：USB接口，差分信号接口总线隔离，低失真信号门控 （1）（1）有关CB3Q系列性能特性的更多信息

SN74CB3Q3253器件是一款高带宽FET总线开关，采用电荷泵提升传输晶体管的栅极电压，提供低而平坦的导通电阻（r on）。低而平坦的导通电阻允许的传播延迟，并支持数据输入和输出（I / O）端口的轨到轨切换。

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