晶体管 - FET BSC035N10NS5ATMA1 Infineon

一般信息

数据列表       BSC035N10NS5;

标准包装      5,000

包装      标准卷带 

零件状态       有源

类别       分立半导体产品

产品族    晶体管 - FET，MOSFET - 单个

系列       OptiMOS™

其它名称       BSC035N10NS5ATMA1TR

SP001229628

 

规格

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    100A（Tc）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）      6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）      3.5 毫欧 @ 50A，10V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）    87nC @ 10V

Vgs（大值）     ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）  6500pF @ 50V

FET 功能       -

功率耗散（大值）    2.5W（Ta），156W（Tc）

工作温度       -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    PG-TDSON-8-7

封装/外壳      8-PowerTDFN

晶体管 - FET BSC035N10NS5ATMA1 Infineon

 

公司简介：

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