NAND闪存：K9F4G08U0B-PIB0
制造商：SAMSUNG
内存集成电路类型：FLASH
封装：TSOP
工作温度：85 °C
工作温度：-40 °C
电源：3/3.3 V
长度：18.4 mm
压摆率：0.035 mA
供电电压 (Vsup)：3.6 V
供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V

NAND闪存：K9F4G08U0B-PIB0功能摘要：
•电源
 -3.3V器件（K9F4G08U0D）：2.7V〜3.6V
•组织
 -存储单元阵列：（512M + 16M）x 8位
 -数据寄存器：（2K + 64）x 8位
•自动编程和擦除
 -页面程序：（2K + 64）Byte
 -块擦除：（128K + 4K）Byte
•页面读取操作
 -页面大小：（2K + 64）Byte
 -随机读取：25μs（）
 -串行访问：25ns（）
•快速的写入周期时间
 -页面编程时间：250μs（Typ。）
 -块擦除时间：2ms（Typ。）
•命令/地址/数据多路复用I / O端口
•硬件数据保护
 -电源转换期间的编程/擦除锁定
•可靠的CMOS浮栅技术
•命令寄存器操作
•版权保护的ID
•包装：
 -K9F4G08U0D-SCB0 / SIB0：无铅，无卤素包装
 48-TSOP1引脚（12 x 20 / 0.5 mm间距）
 -K9K8G08U0D-SCB0 / SIB0：无铅，无卤素包装
 48-TSOP1引脚（12 x 20 / 0.5 mm间距）
 -K9K8G08U1D-SCB0 / SIB0：无铅，无卤素包装
 48-TSOP1引脚（12 x 20 / 0.5 mm间距）
 -K9WAG08U1D-SCB0 / SIB0：无铅，无卤素封装
 48-TSOP1引脚（12 x 20 / 0.5 mm间距）

NAND闪存：推荐工作条件：

NAND闪存：额定值：

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